一般セッション(口頭講演)

[19p-A27-1~17] 14.1 探索的材料物性

2014年9月19日(金) 14:00 〜 18:45 A27 (N302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

14:00 〜 14:15

[19p-A27-1] MBE法によるGe(111)基板上のBaSi₂エピタキシャル膜の作製と評価

^○髙部涼太¹，馬場正和¹，Weijie Du¹，都甲薫¹，原康祐²，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院電物¹，名大²，JST-CREST³)

14:15 〜 14:30

[19p-A27-2] KFM法によるSi(111)基板上BaSi₂PN接合の観察

^○塚原大地¹，馬場正和¹，都甲薫¹，木村隆²，渡辺健太郎^1,2，関口隆史²，末益崇^1,3 (筑波大数理¹，物材機構²，JST－CREST³)

14:30 〜 14:45

[19p-A27-3] n-BaSi₂エピタキシャル膜表面におけるパッシベーションと欠陥準位の関係

^○武内大樹¹，Weijie Du¹，高部涼太¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大¹，JST-CREST²)

14:45 〜 15:00

[19p-A27-4] Bドープp型BaSi₂の活性化率向上及び電気的特性評価

^○章寧¹，武内大樹¹，Weijie Du¹，高部涼太¹，馬場正和¹，塚原大地¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大院¹，CREST JST²)

15:00 〜 15:15

▲ [19p-A27-5] Fabrication of BaSi₂ films by RF sputtering on a heated glass substrate with pre-deposition Si layer

^○Nurul Amal Abdullatiff¹，横山晟也¹，召田雅実²，倉持豪人²，都甲薫¹，末益崇^1,3 (筑波大院電子・物理工学専攻¹，東ソー²，JST-CREST³)

15:15 〜 15:30

△ [19p-A27-6] シリコン補給層を利用したガラス基板上BaSi₂単相蒸着膜の厚膜化

^○原康祐^1,2，中川慶彦¹，末益崇^2,3，宇佐美徳隆^1,2 (名大院工¹，JST-CREST²，筑波大院³)

休憩15:30～15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[19p-A27-7] 真空蒸着法で作製したBaSi₂薄膜のキャリアライフタイムの評価

^○（M1）中川慶彦¹，原康祐^1,2，末益崇^2,3，宇佐美徳隆^1,2 (名大工¹，JST-CREST²，筑波大³)

16:00 〜 16:15

[19p-A27-8] BaSi2への侵入型ドーピングの可能性について

^○今井庸二^1,2，相馬貢¹，末益崇² (産総研¹，筑波大院²)

16:15 〜 16:30

[19p-A27-9] BaSi₂における不純物原子拡散の理論検討

^○大須賀祐喜，中山隆史 (千葉大理)

16:30 〜 16:45

[19p-A27-10] 第一原理計算による(Sr,Ba)(Si,Ge)2薄膜太陽電池の研究

^○梅澤直人，Mukesh Kumar，今井基晴 (物材機構)

16:45 〜 17:00

[19p-A27-11] 赤外吸収法によるβ-FeSi₂/Si ナノ混合相の酸化挙動

^○森田洸介¹，中村達哉¹，小林博之¹，達見隆秀¹，鳴海一雅²，前田佳均^1,2 (九工大院情報工¹，原子力機構ASRC²)

17:00 〜 17:15

△ [19p-A27-12] β-FeSi₂ナノ結晶/SiO₂のナノ混合相のフォトルミネッセンス特性

^○達見隆秀¹，中村達哉¹，森田洸介¹，小林博之¹，鳴海一雅²，前田佳均^1,2 (九工大院情報工¹，原子力機構ASRC²)

休憩17:15～17:30 （17:15 〜 17:30）

17:30 〜 17:45

[19p-A27-13] β-FeSi₂(100)//Si(001)エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトル

^○山口陽己，塚本裕明，服部哲，東貴彦，寺井慶和 (鹿児島大理工)

17:45 〜 18:00

[19p-A27-14] β-FeSi₂多結晶薄膜における結晶欠陥と残留キャリア密度との相関

^○東貴彦，服部哲，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和 (鹿児島大理工)

18:00 〜 18:15

[19p-A27-15] n型β-FeSi₂多結晶薄膜/p-Siヘテロ接合における電流-電圧特性のキャリア密度依存性

^○服部哲，東貴彦，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和 (鹿児島大理工)

18:15 〜 18:30

[19p-A27-16] SiN膜で保護したβ-FeSi₂膜の熱処理後の残留酸素の評価

^○嘉藤貴史¹，若林整²，佐々木亮人²，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

18:30 〜 18:45

[19p-A27-17] ボールミルにおける溶媒条件がβ-FeSi₂のプラズマ焼結に与える影響

^○（M2）松本逸暉¹，勝俣裕¹，高橋隆²，相馬宏史²，東谷泉²，石山正明² (明大理工¹，エレニックス²)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PB4-1~9] 14.1 探索的材料物性

2014年9月19日(金) 09:30 〜 11:30 PB4 (第2体育館)

ポスター掲示時間9:30～11:30(PB4会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[19a-PB4-1] n型β-FeSi₂/p型Siヘテロ接合ダイオードの電気特性に対するn型β-FeSi₂へのCドープの効果

^○（M2）高原基¹，船﨑優¹，ムスタファタレク¹，馬場隆司¹，ナタポーンポンロス²，シャバーンマハムド³，冨永亜希¹，吉武剛¹ (九大総合理工学府¹，キングモンクット工大²，アスワン大³)

09:30 〜 11:30

[19a-PB4-2] Fe₃Si/FeSi₂/Fe₃Si人工格子によるスピンバルブ素子の創製

^○浅井勇輝¹，堺研一郎^1,2，石橋和也¹，武田薫³，吉武剛¹ (九大院総合理工学府¹，久留米高等²，福岡工大³)

09:30 〜 11:30

[19a-PB4-3] Ag蒸着Si(110)基板に成長させたβ-FeSi2薄膜の微細構造解析

^○（M2）林剛平¹，板倉賢¹，秋山賢輔² (九大総理工¹，神奈川産技センター²)

09:30 〜 11:30

[19a-PB4-4] 真空蒸着法によるβ-FeSi₂薄膜作製への蒸着材料の影響

^○小林治哉，綿引柚衣子，佐藤桂輔，中岡鑑一郎，原嘉昭 (茨城高専)

09:30 〜 11:30

[19a-PB4-5] β-FeSi₂ UP⁺構造におけるFranz-Keldysh oscillations の温度および励起光強度依存性

^○塚本裕明，山口陽己，服部哲，東貴彦，寺井慶和 (鹿児島大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB4-6] Bi,Sb不純物がMg₂Si結晶の熱電特性に及ぼす影響

^○大坪翼，大竹秀明，鵜殿治彦 (茨城大院)

09:30 〜 11:30

△ [19a-PB4-7] 簡易合成法で成長した溶融Mg₂Si中のSb不純物分布

^○岡崎大，鵜殿治彦 (茨城大院)

09:30 〜 11:30

[19a-PB4-8] イオンビームスパッタ蒸着法によるEr₂O₃高配向薄膜の作製

^○藤田将弥^1,2，山口憲司²，朝岡秀人²，毛偉³，近田拓未⁴，鈴木晶大³，寺井隆幸³ (茨城大¹，原子力機構²，東大³，静岡大⁴)

09:30 〜 11:30

[19a-PB4-9] キセノンイオンを注入したシリコンのアニールによる構造変化

^○羽渕仁恵¹，藤田詩織¹，飯田民夫¹，大橋史隆²，伴隆幸²，久米徹二²，野々村修一² (岐阜高専¹，岐大工²)

一般セッション(口頭講演)

[20a-A27-1~10] 14.1 探索的材料物性

2014年9月20日(土) 09:00 〜 11:45 A27 (N302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

△ [20a-A27-1] スパッタエッチングによるMg₂Si結晶中のAg熱拡散深さの評価

^○堀信彦¹，江坂文孝²，鵜殿治彦¹ (茨城大院¹，原子力機構²)

09:15 〜 09:30

[20a-A27-2] サファイア基板上Mg/Si共堆積膜のポストアニールによるMg₂Si膜固相合成

^○高木雄太，張月，國武和広，池畑隆，鵜殿治彦，佐藤直幸 (茨城大工)

09:30 〜 09:45

[20a-A27-3] Sb,Bi不純物添加によるマグネシウムシリサイド格子熱伝導率の低減効果

^○大竹秀明¹，大坪翼¹，志賀拓麿²，塩見淳一郎²，鵜殿治彦¹ (茨城大院¹，東大院²)

09:45 〜 10:00

[20a-A27-4] Mg2Si薄膜の固相成長中の熱処理雰囲気が膜質に与える影響

^○（M2）橋本哲弥，原英樹，勝俣裕 (明大理工)

10:00 〜 10:15

[20a-A27-5] SPS法で作製したNi-Mg₂Si界面の断面TEM観察

^○菅原宏治¹，山崎由布紀¹，中村新一²，中村重之³，森嘉久⁴，財部健一⁴ (首都大SD¹，青山学院大²，津山高専³，岡山理科大⁴)

10:15 〜 10:30

[20a-A27-6] 高温高圧下におけるMg₂Si

^○今井基晴¹，磯田幸広¹，長谷川正²，西田憲司² (物材機構¹，名大²)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[20a-A27-7] 三元系SiクラスレートK₈Al_xSi_46-xの合成

シバクマールシン，^○今井基晴 (物材機構)

11:00 〜 11:15

[20a-A27-8] C型希土類構造を持つ混晶系のラマン散乱

^○知花優太郎，山中明生 (千歳科学技術大)

11:15 〜 11:30

[20a-A27-9] ダイアモンド半導体の電極形成に関する電子状態計算

^○（D）上田陽亮，前園涼 (北陸先端科学技術大学院大)

11:30 〜 11:45

[20a-A27-10] 実チップにおける薄膜界面の密着強度評価法

^○根岸哲，寺井護，西村隆 (三菱電機先端総研)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性

[19p-A27-1~17] 14.1 探索的材料物性

▲ [19p-A27-5] Fabrication of BaSi2 films by RF sputtering on a heated glass substrate with pre-deposition Si layer

△ [19p-A27-6] シリコン補給層を利用したガラス基板上BaSi2単相蒸着膜の厚膜化

△ [19p-A27-12] β-FeSi2ナノ結晶/SiO2のナノ混合相のフォトルミネッセンス特性

[19a-PB4-1~9] 14.1 探索的材料物性

△ [19a-PB4-7] 簡易合成法で成長した溶融Mg2Si中のSb不純物分布

[20a-A27-1~10] 14.1 探索的材料物性

△ [20a-A27-1] スパッタエッチングによるMg2Si結晶中のAg熱拡散深さの評価

▲ [19p-A27-5] Fabrication of BaSi₂ films by RF sputtering on a heated glass substrate with pre-deposition Si layer

△ [19p-A27-6] シリコン補給層を利用したガラス基板上BaSi₂単相蒸着膜の厚膜化

△ [19p-A27-12] β-FeSi₂ナノ結晶/SiO₂のナノ混合相のフォトルミネッセンス特性

△ [19a-PB4-7] 簡易合成法で成長した溶融Mg₂Si中のSb不純物分布

△ [20a-A27-1] スパッタエッチングによるMg₂Si結晶中のAg熱拡散深さの評価