一般セッション(ポスター講演)

[18p-PA12-1~10] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月18日(火) 16:00 〜 18:00 PA12 (アリーナ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[18p-PA12-1] 1次元リン(P)ドーパント配列を有する長チャネルトランジスタの低温伝導特性評価

^○熊谷国憲¹，EnricoPrati²，堀匡寛³，福井結子¹，谷井孝至¹，品田賢宏⁴ (早大理工¹，CNR-IFN²，富山大³，産総研⁴)

16:00 〜 18:00

[18p-PA12-2] 高温Ar熱処理Si基板上 (100) pMOSFETの正孔移動度向上機構

^○朝倉佑吏^1,2，荒木浩司³，宮下守也³，泉妻宏治³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，グローバルウェーハズ・ジャパン³)

16:00 〜 18:00

[18p-PA12-3] 110億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析

^○水谷朋子，アニールクマール，平本俊郎 (東大生研)

16:00 〜 18:00

[18p-PA12-4] 1軸および2軸圧縮ひずみを有する(100)/<100> GeOIチャネルメタルS/D pMOSFETの優位性実証

^○池田圭司，守山佳彦，上牟田雄一，小野瑞城，入沢寿史，小田穣，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

16:00 〜 18:00

△ [18p-PA12-5] Sb拡散ソース・ドレインを有する酸化濃縮基板上反転型極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFET

^○金佑彊^1,2，金栄現^1,2，金相賢^1,2，長田剛規³，秦雅彦³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大¹，JST-CREST²，住友化学³)

16:00 〜 18:00

[18p-PA12-6] 高移動度(111)B面をチャネルに有する三角形状InGaAs-OI nMOSFET

^○入沢寿史¹，小田穣¹，池田圭司¹，守山佳彦¹，三枝栄子¹，JevaswanWipakorn¹，前田辰朗¹，市川麿²，長田剛規²，宮本恭幸³，秦雅彦²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，住友化学²，東工大³)

16:00 〜 18:00

[18p-PA12-7] 低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用（Ⅲ）

^○（B）伊藤佳奈¹，内藤慎二²，小林清輝^1,2 (東海大工¹，東海大院工²)

16:00 〜 18:00

[18p-PA12-8] 低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用（Ⅳ）

^○（M1）内藤慎二¹，伊藤佳奈²，小林清輝^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)

16:00 〜 18:00

[18p-PA12-9] 極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPNボディコンタクト付きSOI MOSFETの提案

^○森貴之，田篠奏，井田次郎 (金沢工大)

16:00 〜 18:00

[18p-PA12-10] GMPサンプリング用CMOSトラック＆ホールド回路の研究

^○瀬尾裕二¹，十河健太¹，外谷昭洋²，吉川公麿¹ (広島大ナノデバイス研¹，呉高専²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:30 F12 (F408)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[19a-F12-1] シリコントライゲートナノワイヤトランジスタにおける低周波ノイズのチャネルサイズ依存性

^○齋藤真澄，太田健介，田中千加，沼田敏典 (東芝研開セ)

09:15 〜 09:30

△ [19a-F12-2] 4端子ゲート抵抗法によるナノスケールバルク／極薄膜BOX SOI MOSFET動作温度の評価

^○（P）高橋綱己¹，松木武雄³，品田賢宏^2,3，井上靖朗³，内田建¹ (慶應大電子工¹，産総研ナノエレ研究部門²，産総研TIA推進本部³)

09:30 〜 09:45

[19a-F12-3] 多結晶金属ゲートの結晶粒に起因するFinFET特性ばらつきの解析

^○松川貴，福田浩一，柳永勛，遠藤和彦，塚田順一，山内洋美，石川由紀，大内真一，水林亘，太田裕之，右田真司，森田行則，昌原明植 (産総研ナノエレ部門)

09:45 〜 10:00

[19a-F12-4] 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の低減

^○水谷朋子¹，山本芳樹²，槇山秀樹²，篠原博文²，岩松俊明²，尾田秀一²，杉井信之²，平本俊郎¹ (東大生研¹，LEAP²)

10:00 〜 10:15

[19a-F12-5] SRAMセル安定性指標パラメータ：Nカーブとスタティックノイズマージンの統計的解析

^○水谷朋子¹，山本芳樹²，槇山秀樹²，篠原博文²，岩松俊明²，尾田秀一²，蒲原史朗²，杉井信之²，平本俊郎¹ (東大生研¹，LEAP²)

10:15 〜 10:30

[19a-F12-6] FinFETを用いた擬似スピンMOSFETとその不揮発性SRAMへの応用

^○周藤悠介^1,2，山本修一郎^1,2，菅原聡¹ (東工大像情報¹，神奈川科学技術アカデミー²)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-F12-7] ナノデバイス構造での電子輸送における自己鏡像ポテンシャルの影響

^○（B）土屋耀介，吉田勝尚，佐野伸行 (筑波大電物)

11:00 〜 11:15

△ [19a-F12-8] ナノワイヤ構造における離散不純物散乱とキャリア移動度

^○（B）田上友基，佐野伸行 (筑波大電物)

11:15 〜 11:30

△ [19a-F12-9] 長方形断面Geナノワイヤのフォノン制限電子移動度の断面形状依存性

^○田中一，森誠悟，森岡直也，須田淳，木本恒暢 (京大院工)

11:30 〜 11:45

[19a-F12-10] Tunnel FETの伝達特性におけるドレイン電圧の影響

^○福田浩一，森貴洋，水林亘，田邊顕人，昌原明植，安田哲二，右田真司，太田裕之，森田行則 (産総研 GNC)

11:45 〜 12:00

[19a-F12-11] 合成電界効果によるフィン型トンネルFETの性能向上

^○森田行則，森貴洋，右田真司，水林亘，田邊顕人，福田浩一，遠藤和彦，松川貴，大内真一，柳永勛，昌原明植，太田裕之 (GNC-AIST)

12:00 〜 12:15

[19a-F12-12] 等電子トラップによるTFETのON電流増大の可能性検討

^○森貴洋，森田行則，宮田典幸，右田真司，昌原明植，安田哲二，太田裕之 (産総研GNC)

12:15 〜 12:30

[19a-F12-13] Si/InAsヘテロ接合縦型トンネルFETのチャネル層ドーピング効果

^○冨岡克広^1,2，石坂文哉¹，中井栄治¹，福井孝志¹ (北大院情報科学および量子集積センター¹，JSTさきがけ²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月19日(水) 13:30 〜 18:45 F12 (F408)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:30〜13:30 （12:30 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[19p-F12-1] 数nm-CMOS 素子用二次元Si 層の検討（Ⅵ）：閉じ込め効果の異方性のSi 膜厚依存性

^○永田祐介¹，中原雄太¹，鈴木佑弥¹，斉田健吾¹，長嶺由騎¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

13:45 〜 14:00

[19p-F12-2] 数nm-CMOS素子用二次元Siの検討(Ⅶ):量子的閉じ込め効果のドナー/アクセプター濃度依存性

^○中原雄太¹，永田祐介¹，鈴木佑弥¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

14:00 〜 14:15

[19p-F12-3] SOI MOSFET単一フォトン検出器の性能予測

^○中神裕揮¹，DedySeptonoCaturPutranto^1,2，佐藤弘明¹，小野篤史¹，PurnomoSidiPriambodo²，DjokoHartanto²，猪川洋¹ (静岡大¹，インドネシア大²)

14:15 〜 14:30

[19p-F12-4] 単一トラップ準位を用いた高速単電子ポンプ

^○山端元音，西口克彦，藤原聡 (NTT物性基礎研)

14:30 〜 14:45

[19p-F12-5] 浮遊ゲートを有する室温動作シリコン単電子トランジスタにおけるクーロンブロッケード振動のピーク位置制御

^○棚橋裕麻^1,2，鈴木龍太¹，更屋拓哉¹，平本俊郎¹ (東大生研¹，中大理工²)

14:45 〜 15:00

[19p-F12-6] SF6ドライエッチングによるシリコン量子ドットの作製と評価

^○呂逸¹，小寺哲夫^1,2,3，堀部浩介¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノエレ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

15:00 〜 15:15

[19p-F12-7] ホール輸送によるp型二重結合量子ドットの磁場依存性

^○山田宏¹，小寺哲夫^1,2,3，蒲原知宏¹，堀部浩介¹，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノエレ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

15:15 〜 15:30

△ [19p-F12-8] Si/SiGe二重量子ドットによるパウリスピンブロッケードの観測

^○神岡純¹，武田健太²，小幡利顕²，小寺哲夫^1,3,4，樽茶清悟^2,3,5，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大工²，東大ナノ量子機構³，さきがけ-JST⁴，理研⁵)

15:30 〜 15:45

△ [19p-F12-9] 形状異方性を持つ強磁性体を用いた局所磁場によるシリコン量子ドット中の電子スピン共鳴法の検討

^○蒲原知宏¹，小寺哲夫^1,2,3，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

15:45 〜 16:00

[19p-F12-10] 電荷センサを集積した三角形状三重量子ドット構造による電荷フラストレーション

^○溝口来成¹，小寺哲夫^1,2,3，堀部浩介¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³)

16:00 〜 16:15

[19p-F12-11] マルチゲート二重量子ドットSi単電子トランジスタのカップリング容量の制御

^○内田貴史¹，吉岡勇¹，佐藤光¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性基礎研²)

16:15 〜 16:30

[19p-F12-12] 3端子ナノドットアレイの高機能の創出

^○吉岡勇¹，内田貴史¹，佐藤光¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性基礎研²)

休憩 16:30〜16:45 （16:30 〜 16:45）

16:45 〜 17:00

[19p-F12-13] In-situ P doped SiGeストレッサーを有する引張り歪みGeOI nMOSFETの高電流駆動力実証

^○上牟田雄一¹，守山佳彦¹，三枝栄子¹，前田辰郎¹，JevasuwanWipakorn¹，倉島優一²，高木秀樹²，小田穣¹，入沢寿史¹，池田圭司¹，黒澤悦男¹，手塚勉¹ (産総研GNC¹，産総研²)

17:00 〜 17:15

▲ [19p-F12-14] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates

^○XiaoYu^1,2，張睿^1,2，亢健^1,2，前田辰郎³，板谷太郎³，長田剛規⁴，秦雅彦⁴，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大¹，JST-CREST²，産総研³，住友化学⁴)

17:15 〜 17:30

▲ [19p-F12-15] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO₂/Al₂O₃/GeO_x Gate Stacks

^○（P）張睿^1,2,4，WinstonChern³，玉?^1,2，竹中充^1,2，HoytJudy³，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，MIT³，浙江大⁴)

17:30 〜 17:45

[19p-F12-16] FLA法を用いて作製した短チャネル多結晶Ge p-/n-MOSFETの実証

^○臼田宏治，鎌田善己，上牟田雄一，森貴洋，小池正浩，手塚勉 (産総研GNC)

17:45 〜 18:00

[19p-F12-17] 単一金属ゲート電極を用いた多結晶ゲルマニウムノーマリーオフジャンクションレス p-&n-MISFETs

^○鎌田善己，小池正浩，上牟田雄一，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

18:00 〜 18:15

[19p-F12-18] 固相エピタキシー法によるSi(111)基板上の極薄GeSn-pMOSFETs

^○前田辰郎¹，WipakornJevasuwan¹，服部浩之¹，内田紀行¹，三浦脩²，田中正俊²，JeanLocquet³，RubenLieten^3,4 (産総研¹，横国大²，KU Leuven³，IMEC⁴)

18:15 〜 18:30

[19p-F12-19] 金属GaSb合金を用いた金属/GaSb接合の電気特性

^○西康一^1,2，金相賢^1,2，横山正史¹，横山春喜³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，NTTフォトニクス研³)

18:30 〜 18:45

[19p-F12-20] 基板貼り合わせ法によるGaSb-OI on Si基板の作製とGaSb-OI p-MOSFETの動作実証

^○横山正史¹，西康一^1,2，横山春喜³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST CREST²，NTTフォトニクス研³)

一般セッション(口頭講演)

[20a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F12 (F408)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-F12-1] 高誘電率Al2O3ブロック絶縁膜を用いたチャージトラップ型FinFETフラッシュメモリの作製及び電気特性評価

^○柳永勛¹，生田部俊秀²，松川貴¹，遠藤和彦¹，大内真一¹，塚田順一¹，山内洋美¹，石川由紀¹，水林亘¹，森田行則¹，右田真司¹，太田裕之¹，知京豊裕²，昌原明植¹ (産総研¹，物材研²)

09:15 〜 09:30

[20a-F12-2] NANDフラッシュメモリ向け書き込みディスターブエラーに対する最適な非対称符号化法

^○（M1）土井雅史¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

09:30 〜 09:45

[20a-F12-3] TLC NANDフラッシュメモリ向け高信頼化コントローラ技術

^○（B）徳冨司¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

09:45 〜 10:00

[20a-F12-4] Cu-MoO_x-Al₂O₃抵抗変化型メモリのスイッチ特性

^○廣井孝弘¹，中根明俊¹，藤本天¹，有田正志¹，高橋庸夫¹，安藤秀幸²，森江隆² (北大院情報¹，九工大生命体工²)

10:00 〜 10:15

[20a-F12-5] Al電極上に作製したWOx薄膜の抵抗スイッチ特性

^○中根明俊¹，廣井孝弘¹，有田正志¹，高橋庸夫¹，安藤秀幸²，森江隆² (北大院情報¹，九工大²)

10:15 〜 10:30

[20a-F12-6] TEMその場観察法によるCu/WO_x抵抗変化型メモリの特性評価

^○高橋謙仁，大野裕輝，中根明俊，工藤昌輝，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

10:30 〜 10:45

[20a-F12-7] TEMその場観察を用いたCu/MoOx抵抗変化型メモリの繰り返し特性とフィラメント観察

^○工藤昌輝¹，大野裕輝¹，廣井孝弘¹，藤本天²，浜田弘一¹，有田正志¹，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，北大工²)

休憩 10:45〜11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

▲ [20a-F12-8] Verify-Program Method Investigation and Optimization on 50nm AlxOy ReRAM Array

^○SheyangNing^1,2，OguraTomokoIwasaki¹，KenTakeuchi¹ (中大理工¹，東大工²)

11:15 〜 11:30

▲ [20a-F12-9] Investigation of AlxOy ReRAM Cell Resistance Switch Characteristic

^○SheyangNing^1,2，OguraTomokoIwasaki¹，KenTakeuchi¹ (中大理工¹，東大工²)

11:30 〜 11:45

[20a-F12-10] 抵抗変化型メモリ向け高信頼、高性能化コントローラ技術

^○（B）山沢裕紀¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

11:45 〜 12:00

△ [20a-F12-11] CMOSトランジスタを用いた3端子型のワンタイムスイッチの実現

^○財津光一郎，辰村光介，小田聖翔，安田心一 (東芝)

12:00 〜 12:15

[20a-F12-12] 省面積クロスバースイッチ向け双方向TaOダイオード選択相補型原子移動型スイッチ(DCAS)のスイッチング動作

^○岡本浩一郎，多田宗弘，伴野直樹，阪本利司，井口憲幸，野久竜彦，波田博光 (ＬＥＡＰ)

12:15 〜 12:30

[20a-F12-13] 相補型原子スイッチのOFF時電圧ストレス耐性

^○伴野直樹，多田宗弘，阪本利司，宮村信，岡本浩一郎，井口憲幸，野久竜彦，波田博光 (LEAP)

一般セッション(口頭講演)

[20p-F12-1~6] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月20日(木) 13:30 〜 15:00 F12 (F408)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 12:30〜13:30 （12:30 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[20p-F12-1] NBTストレス誘起RTSのEDMR解析

^○与名本欣樹 (日立横研)

13:45 〜 14:00

[20p-F12-2] 二次宇宙線中性子起因ソフトエラーの入射エネルギー依存性調査

^○（P）安部晋一郎^1,2，渡辺幸信¹ (九大院総理工¹，学振特別研究員²)

14:00 〜 14:15

△ [20p-F12-3] 実時間チャージポンピング法の開発

^○渡辺時暢¹，堀匡寛¹，土屋敏章²，小野行徳¹ (富山大工¹，島根大総合理工²)

14:15 〜 14:30

[20p-F12-4] nMOSFETsにおけるランダム・テレグラフ・ノイズに寄与する欠陥の時定数および電流振動の面方位依存性の検討

^○陳杰智，平野泉，三谷祐一郎 (東芝研発セ)

14:30 〜 14:45

[20p-F12-5] 微細トランジスタにおけるRandom Telegraph Noise (RTN) の統計分布のドレイン電流依存性

^○（M2）大野仁嗣，水谷朋子，平本俊郎 (東大生研)

14:45 〜 15:00

▲ [20p-F12-6] 高電圧オン状態・オフ状態ストレスによるpFETの|Vth|シフトとそのばらつき特性

^○NurulEzailaAlias，AnilKumar，TakuyaSaraya，ToshiroHiramoto (IIS, Univ. of Tokyo)

セッション一覧

13．半導体A（シリコン） » 13.4 デバイス/集積化技術

[18p-PA12-1~10] 13.4 デバイス/集積化技術

△ [18p-PA12-5] Sb拡散ソース・ドレインを有する酸化濃縮基板上反転型極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFET

[19a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

△ [19a-F12-2] 4端子ゲート抵抗法によるナノスケールバルク／極薄膜BOX SOI MOSFET動作温度の評価

△ [19a-F12-8] ナノワイヤ構造における離散不純物散乱とキャリア移動度

△ [19a-F12-9] 長方形断面Geナノワイヤのフォノン制限電子移動度の断面形状依存性

[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

△ [19p-F12-8] Si/SiGe二重量子ドットによるパウリスピンブロッケードの観測

△ [19p-F12-9] 形状異方性を持つ強磁性体を用いた局所磁場によるシリコン量子ドット中の電子スピン共鳴法の検討

▲ [19p-F12-14] Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates

▲ [19p-F12-15] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO2/Al2O3/GeOx Gate Stacks

[20a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

▲ [20a-F12-8] Verify-Program Method Investigation and Optimization on 50nm AlxOy ReRAM Array

▲ [20a-F12-9] Investigation of AlxOy ReRAM Cell Resistance Switch Characteristic

△ [20a-F12-11] CMOSトランジスタを用いた3端子型のワンタイムスイッチの実現

[20p-F12-1~6] 13.4 デバイス/集積化技術

△ [20p-F12-3] 実時間チャージポンピング法の開発

▲ [20p-F12-6] 高電圧オン状態・オフ状態ストレスによるpFETの|Vth|シフトとそのばらつき特性

▲ [19p-F12-15] High Mobility Strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm Ultrathin EOT using Plasma Post Oxidation HfO₂/Al₂O₃/GeO_x Gate Stacks