一般セッション(口頭講演)

[18a-F11-1~8] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2014年3月18日(火) 09:30 〜 11:45 F11 (F407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[18a-F11-1] 液相レーザーアブレーション法を用いた硫化物半導体ナノ粒子の作製と物性評価

^○孫仁徳¹，辻剛志² (積水化学工業¹，九大²)

09:45 〜 10:00

[18a-F11-2] FePt合金ナノドットの構造および磁化特性評価

^○福岡諒，張海，牧原克典，大田晃生，徳岡良浩，加藤剛志，岩田聡，宮崎誠一 (名大院工)

10:00 〜 10:15

△ [18a-F11-3] シリコンナノ粒子による有機分子のフォトルミネッセンス増強

^○前田譲章，松本健俊，小林光 (阪大産研)

10:15 〜 10:30

△ [18a-F11-4] 紙資源を利用した超フレキシブル不揮発性メモリ

^○長島一樹¹，古賀大尚¹，UmbertoCelano²，金井真樹¹，北岡卓也³，能木雅也¹，柳田剛¹ (阪大産研¹，imec²，九大農³)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-F11-5] ラマン散乱によるB,P同時ドープコロイド状Siナノ結晶の構造評価

^○長谷川正高，杉本泰，藤井稔，今北健二 (神戸大院工)

11:00 〜 11:15

[18a-F11-6] 塗布によるSiナノ結晶薄膜の作製(Ⅰ)

^○佐々木誠仁，杉本泰，今北健二，藤井稔 (神戸大)

11:15 〜 11:30

[18a-F11-7] パルスレーザー照射によるシリコンナノ結晶の表面改質

^○古田健太，杉本泰，今北健二，藤井稔 (神戸大)

11:30 〜 11:45

[18a-F11-8] 金ナノ粒子‐ポリアニリンハイブリッドを用いた蛍光増強

^○木下隆将，西野智昭，椎木弘，長岡勉 (阪府大工)

一般セッション(口頭講演)

[18p-F11-1~17] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2014年3月18日(火) 13:00 〜 17:45 F11 (F407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:00 （11:45 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[18p-F11-1] MBE交互供給法によるSi基板上への無触媒InGaAsナノワイヤ成長

^○木津良祐¹，本田善央¹，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤崎研究センター²)

13:15 〜 13:30

[18p-F11-2] 無触媒MBE-VLS成長SiドープGaAs NWsの結晶構造及び発光特性のキャリア濃度依存性

^○（D）鈴木章生¹，福山敦彦¹，白知鉉²，山口雅史²，碇哲雄¹ (宮崎大¹，名古屋大²)

13:30 〜 13:45

[18p-F11-3] AlGaAs窓層導入によるInGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドット太陽電池の変換効率改善

^○舘林潤¹，田辺克明¹，西岡政雄²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

13:45 〜 14:00

△ [18p-F11-4] ナノプローブCL法によるZnOナノロッドの曲げ変形とバンドギャップの歪シフトのその場評価

^○（PC）渡辺健太郎^1,2，JanosVolk³，呉承俊¹，長田貴弘¹，若山裕¹，関口隆史¹ (物材機構¹，筑波大²，ハンガリー科学アカデミー³)

14:00 〜 14:15

[18p-F11-5] 径方向p-i-n構造を有するInP系ナノワイヤからのEL発光

^○河口研一¹，須藤久男¹，松田学¹，江川満¹，山本剛之¹，荒川泰彦² (富士通研¹，東大ナノ量子²)

休憩 14:15〜14:30 （14:15 〜 14:30）

14:30 〜 14:45

[18p-F11-6] InP/InAs ヘテロナノワイヤの歪み評価

^○章国強¹，中川周平^1,2，舘野功太¹，寒川哲臣¹，後藤秀樹¹ (NTT物性基礎研¹，豊技大²)

14:45 〜 15:00

[18p-F11-7] TBClを用いたInAsPナノワイヤ成長の検討

^○舘野功太，章国強，後藤秀樹 (NTT物性研)

15:00 〜 15:15

[18p-F11-8] 自己整合積層型ソース・ドレイン電極によるInAs ナノワイヤFET の短ゲート化

^○佐々木智，舘野功太，章国強，原田裕一，齊藤志郎，藤原聡，寒川哲臣，村木康二 (ＮＴＴ物性研)

15:15 〜 15:30

[18p-F11-9] 埋め込み型GaAs/AlGaAsヘテロ構造ナノワイヤの形成とその水蒸気酸化

日比秀昭¹，近藤正彦¹，^○石川史太郎² (阪大院工¹，愛媛大院理工²)

15:30 〜 15:45

[18p-F11-10] InAsナノワイヤの熱伝導率に関する理論的検討: 回転双晶の影響

^○秋山亨，中村浩次，伊藤智徳 (三重大院工)

15:45 〜 16:00

[18p-F11-11] Screened-exchange密度汎関数計算によるIII-V化合物半導体多形の電子状態

^○秋山亨，中村浩次，伊藤智徳 (三重大院工)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[18p-F11-12] Ge/Si コアシェルナノワイヤとSiナノワイヤのヘテロ接合作製

^○森田広大，野口智弘，MarolopSimanullang，宇佐美浩一，小寺哲夫，小田俊理 (東工大量子ナノ研セ)

16:30 〜 16:45

[18p-F11-13] テルルナノワイヤシートの化学ドーピング

^○野々口斐之，上紺屋史彦，河合壯 (奈良先端大物質)

16:45 〜 17:00

[18p-F11-14] 汎用マグネトロンスパッタ装置を用いたＩＴＯナノワイヤーの形成

^○山本直樹¹，森澤桐彦¹，村上淳之介²，中谷康弘² (高知工科大¹，積水化学工業²)

17:00 〜 17:15

[18p-F11-15] 水熱合成チタネートナノチューブの電気特性とガスセシング特性の解析

^○石井将之¹，李智媛²，寺内雅裕²，吉村武¹，中山忠親²，藤村紀文¹ (阪府大院工¹，長岡技科大極限²)

17:15 〜 17:30

[18p-F11-16] 電解エッチングによるGaAsナノワイヤの作製

^○阿相英孝，小野幸子 (工学院大工)

17:30 〜 17:45

[18p-F11-17] Enhancement of Thermoelectric Properties via Radial Dopant Distribution in Boron-doped Silicon Nanowires

FuweiZhuge¹，^○柳田剛¹，深田直樹²，内田健³，金井真樹¹，長島一樹¹，GangMeng¹，HeYong¹，SakonRahong¹，川合知二¹ (阪大産研¹，物材機構²，慶大理工³)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PA6-1~13] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2014年3月19日(水) 09:30 〜 11:30 PA6 (アリーナ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[19a-PA6-1] Ultrafast and Wide Range Analysis of DNA Molecules Using Tunable Rigid Network Structure of Solid Nanowires

SakonRahong¹，^○柳田剛¹，安井隆雄²，金井真樹¹，長島一樹¹，加地範匡²，馬場嘉信²，川合知二¹ (阪大産研¹，名大工²)

09:30 〜 11:30

[19a-PA6-2] Flux Induced Crystal Phase Transition in Vapor-Liquid-Solid Growth of Indium-Tin Oxide Nanowires

GangMeng，^○柳田剛，長島一樹，金井真樹，川合知二 (阪大産研)

09:30 〜 11:30

[19a-PA6-3] Size Selective Rule of Nanowire Alignment by Solution based Coating Method

YongHe，^○長島一樹，柳田剛，金井真樹，GangMeng，FuweiZhuge，SakonRahong，川合知二 (阪大産研)

09:30 〜 11:30

[19a-PA6-4] Ge/Si コア/シェルナノワイヤヘテロ構造の成長と評価

^○余銘珂^1,2，神永惇^1,2，深田直樹¹ (物材機構¹，筑波大院工²)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-PA6-5] Core-shell homojunction Si nanowire solar cells: Effect of shell growth and doping conditions on their photovoltaic properties

^○DuttaMrinal，NaokiFukata (物材機構)

09:30 〜 11:30

[19a-PA6-6] シリコンナノワイヤ/ポリマー複合太陽電池のセル性能－ナノワイヤ長・アニール温度の効果－

^○佐藤慶介^1,2，DuttaMrinal¹，深田直樹¹ (物材機構¹，東京電機大²)

09:30 〜 11:30

[19a-PA6-7] 静電吸着法を利用した微粒子集積化

釜木剛¹，^○前田篤志¹，武藤浩行²，松田厚範² (府大高専¹，豊橋技科大²)

09:30 〜 11:30

[19a-PA6-8] Au触媒InGaAsナノワイヤのその場XRD/SAXS測定

^○佐々木拓生¹，出来亮太^1,2，仲田侑加^1,2，高橋正光^1,2 (原子力機構¹，兵庫県立大²)

09:30 〜 11:30

[19a-PA6-9] メソポーラスシリカ薄膜の細孔中へのナノ粒子の形成とTiO₂ナノ粒子含有薄膜の物性

日高康宏，古賀克巳，田尻恭之，^○香野淳 (福岡大・理)

09:30 〜 11:30

△ [19a-PA6-10] MOVPE選択成長法によるウルツ鉱型InP/AlGaPコアシェルナノワイヤ成長

^○石坂文哉¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹ (北大院情報科学および量子集積センター¹，JST さきがけ²)

09:30 〜 11:30

[19a-PA6-11] エレクトロスピニング法で作製したグラファイトナノワイヤシートの光蓄電デバイスへの応用

^○谷口尚仁¹，平川直樹²，堀江雄二¹，野見山輝明¹ (鹿大院理工¹，鹿大工²)

09:30 〜 11:30

△ [19a-PA6-12] Al₂O₃中間層を用いた非晶質ガラス上のAlGaAsナノ構造のMOVPE選択成長

^○崎田晋哉，加藤弘晃，原真二郎 (北大量集センター)

09:30 〜 11:30

[19a-PA6-13] HWA処理によるポーラスシリコン上のナノロッド形成の試み

^○（M1C）由井寛之¹，ベルナールジェローズ²，金蓮花¹ (山梨大院医工¹，名大工²)

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[18a-F11-1~8] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

△ [18a-F11-3] シリコンナノ粒子による有機分子のフォトルミネッセンス増強

△ [18a-F11-4] 紙資源を利用した超フレキシブル不揮発性メモリ

[18p-F11-1~17] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

△ [18p-F11-4] ナノプローブCL法によるZnOナノロッドの曲げ変形とバンドギャップの歪シフトのその場評価

[19a-PA6-1~13] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

▲ [19a-PA6-5] Core-shell homojunction Si nanowire solar cells: Effect of shell growth and doping conditions on their photovoltaic properties

△ [19a-PA6-10] MOVPE選択成長法によるウルツ鉱型InP/AlGaPコアシェルナノワイヤ成長

△ [19a-PA6-12] Al2O3中間層を用いた非晶質ガラス上のAlGaAsナノ構造のMOVPE選択成長

△ [19a-PA6-12] Al₂O₃中間層を用いた非晶質ガラス上のAlGaAsナノ構造のMOVPE選択成長