一般セッション(口頭講演)

[13a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月13日(日) 09:00 〜 11:45 1C (135)

座長:河本直哉(山口大),松尾直人(兵庫県立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[13a-1C-1] ドーピングシートによるシリコン基板へのボロンレーザードーピング

富澤由香¹、今村哲也¹、〇池田吉紀¹、城尚志^1,2 (1.帝人株式会社、2.ナノグラムコーポレーション)

09:15 〜 09:30

[13a-1C-2] アニールによるpn接合太陽電池の形成

〇魏煌¹、楊天熙¹、新垣喬之¹、岡田竜弥¹、野口隆¹、河本直哉² (1.琉球大工、2.山口大工)

09:30 〜 09:45

[13a-1C-3] RFスパッタ法を用いて室温製膜したSiO₂膜のH₂アニール効果

〇井村公彦¹、岡田竜弥¹、玉城光¹、野口隆¹ (1.琉球大工)

09:45 〜 10:00

△ [13a-1C-4] UV励起光源を用いたラマン分光法及びライフタイム測定による多結晶シリコン薄膜の評価

〇横川凌¹、鈴木貴博¹、小椋厚志¹ (1.明治大理工)

休憩（10:00 〜 10:15）

10:15 〜 10:30

[13a-1C-5] PH₃プラズマ処理及び大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるシリコン膜中への不純物ドーピング

〇(M1)新良太¹、森崎誠司¹、東清一郎¹ (1.広大先端研)

10:30 〜 10:45

[13a-1C-6] アモルファスシリコン細線の大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化による粒内欠陥の低減

〇森崎誠司¹、中谷太一¹、新良太¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

10:45 〜 11:00

[13a-1C-7] 中空構造SOI層の低温転写におけるFTIR-ATRを用いた
シリコン/PET界面の化学結合状態評価

〇(M1)竹島真治¹、酒池耕平¹、赤澤宗樹¹、中川明俊¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

11:00 〜 11:15

[13a-1C-8] メニスカス力を用いた局所転写のための中空構造単結晶シリコンの形成

〇赤澤宗樹¹、東清一郎¹ (1.広大院　先端研)

11:15 〜 11:30

▲ [13a-1C-9] Microwave-Induced Rapid Heating Used to Crystallize Thin Silicon Films

〇(M1)SHUNSUKE KIMURA¹, Kosuke Ohta¹, Tomohiko Nakamura¹, Masahiko Hasumi¹, Ayuta Suzuki², Mitsuru Ushijima², Toshiyuki Sameshima¹ (1.TUAT, 2.TEL)

11:30 〜 11:45

△ [13a-1C-10] 自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTによるE/Dインバータ特性

〇大澤弘樹¹、原明人¹ (1.東北学院大工)

一般セッション(口頭講演)

[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:15 1C (135)

座長:鉄田博(日新イオン機器),上野和良(芝浦工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[13p-1C-1] フォトマスク作製からトランジスタ試作までの
ミニマルトータルインラインプロセス

〇梅山規男^1,2、北山侑司²、遠江栄希²、数佐純子²、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

13:30 〜 13:45

[13p-1C-2] ミニマルファブによる素子分離プロセスを用いたリングオシレータの作製

〇居村史人^1,2、古賀和博^1,2、梅山規男^1,2、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

13:45 〜 14:00

[13p-1C-3] ミニマルレーザ加熱装置で形成した酸化膜の電気的特性ウェハ面内評価

〇佐藤和重¹、遠江栄希¹、千葉貴史^1,3、寺田昌男^1,3、池田伸一^1,2、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研、3.坂口電熱)

14:00 〜 14:15

[13p-1C-4] ミニマル液体ドーパントプロセスによるCMOS試作

〇古賀和博^1,2、居村史人^1,2、北山侑司²、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

14:15 〜 14:30

[13p-1C-5] 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコンCVD装置(5)

〇李寧¹、羽深等¹、三ケ原孝則²、池田伸一^2,3、石田夕起^2,3、原史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ技術研究組合、3.産総研)

14:30 〜 14:45

[13p-1C-6] ミニマルSi-CVD装置の微小チャンバーにおける気流制御

〇三浦典子¹、石田夕起^1,2、伊藤孝宏³、三ケ原孝則^1,2、池田伸一^1,2、羽深等⁴、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.オリエンタルモーター、4.横国大)

14:45 〜 15:00

[13p-1C-7] ミニマルスパッタ装置におけるAｌ薄膜の成膜性 (Ⅲ)

〇加藤旭彦^1,3、黄蘭²、小木曽久人^1,2、中野禅^1,2、薮田勇気^1,3、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研、3.誠南工業株式会社)

15:00 〜 15:15

[13p-1C-8] ミニマル装置を用いた連続プロセスでのPZT多層膜形成

〇数佐純子¹、古賀和博^1,2、梅山規男^1,2、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研)

休憩（15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

[13p-1C-9] ミニマルファブパッケージ工程におけるリソグラフィの活用

〇東野泰英¹、居村史人^1,2、井上道弘²、猿渡新水^1,2、クンプアンソマワン^1,2、原史郎^1,2 (1.ミニマルファブ、2.産総研)

15:45 〜 16:00

[13p-1C-10] ミニマル装置を使用したリソグラフィ工程の変動要因の解析（Ⅱ）

〇北山侑司¹、奥田修史¹、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研)

16:00 〜 16:15

[13p-1C-11] コーティングカップ内の局所温度制御によるレジストコーティング特性

〇奧田修史¹、武内翔²、扇子義久²、伊藤孝宏³、クンプアンソマワン⁴、原史朗⁴ (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.リソテックジャパン、3.オリエンタルモーター、4.産総研)

16:15 〜 16:30

[13p-1C-12] 小型チェンバーを用いた高速ガス置換浅堀りボッシュプロセス

〇田中宏幸^1,2、小木曽久人^1,2、中野禅^1,2、速水利泰^2,3、宮崎俊也^2,3、富阪賢一^2,3、手錢永充^2,3、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.SPPテクノロジーズ)

16:30 〜 16:45

[13p-1C-13] ミニマルウェハ微粒子スキャナのスキャニング方式評価

〇遠江栄希¹、田島奈穂子^1,3、吾妻俊樹²、名倉義信²、飯田健次郎^1,3、クンプアンソマワン^1,3、原史朗^1,3 (1.ミニマルファブ、2.山梨技術工房、3.産総研)

16:45 〜 17:00

[13p-1C-14] ウェハ表面パーティクル検査装置校正用の粒子数基準ウェハの開発(Ⅱ)

〇田島奈穂子^1,2、飯田健次郎^1,2、榎原研正¹、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

17:00 〜 17:15

[13p-1C-15] 局所クリーン化ミニマルPLADエア循環システム（Ⅴ）

〇谷島孝^1,2、安井政治^1,2、クンプアンソマワン^1,2、前川仁^1,2、原史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

一般セッション(口頭講演)

[14a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月14日(月) 09:00 〜 11:45 1C (135)

座長:佐々木実(豊田工大),石井仁(豊橋技科大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[14a-1C-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 樹脂材料とPb(Zr,Ti)O₃薄膜を用いた圧電構造体の特性評価

〇大久保昂¹、佐野良¹、嶋真弥¹、神田健介¹、藤田孝之¹、前中一介¹ (1.兵庫県立大)

09:15 〜 09:30

[14a-1C-2] パルス周波数変調方式A/D変換回路の３次元集積化

〇後藤正英¹、萩原啓¹、井口義則¹、大竹浩¹、更屋拓哉²、小林正治²、日暮栄治²、年吉洋²、平本俊郎² (1.ＮＨＫ技研、2.東大)

09:30 〜 09:45

△ [14a-1C-3] フレキシブルＣＭＯＳ回路、温度センサ三次元積層集積デバイス

〇本田航¹、原田真吾¹、石田昌平¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.阪府大工)

09:45 〜 10:00

[14a-1C-4] フッ素表面改質によるカーボンナノ機械振動子の高Q値化

〇米谷玲皇¹、宮腰拓実¹、前田悦男¹ (1.東大工)

10:00 〜 10:15

[14a-1C-5] ギャップクロージング型電極を利用した絶縁型電圧センサ

延永尚記¹、熊谷慎也¹、石原裕己²、石居真²、〇佐々木実¹ (1.豊田工大、2.矢崎総業)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[14a-1C-6] 波長選択型SOIダイオード方式非冷却赤外線イメージセンサ

〇藤澤大介¹、小川新平¹、秦久敏¹、植月満治¹、三崎浩司¹、高川陽輔²、木股雅章² (1.三菱電機株式会社、2.立命館大学)

10:45 〜 11:00

[14a-1C-7] 高機能非冷却赤外線センサの広帯域化: マッシュルーム型プラズモニックメタマテリアルの吸収特性

〇小川新平¹、藤澤大介¹、秦久敏¹、木股雅章² (1.三菱電機株式会社、2.立命館大学)

11:00 〜 11:15

[14a-1C-8] シリコンフォトニクス光集積回路におけるプロセス課題(Ⅲ)
低LER加工と表面清浄化による低損失導波路の形成

〇堀川剛^1,2、志村大輔²、鄭錫煥²、徳島正敏²、木下啓藏²、最上徹² (1.産総研、2.PETRA)

11:15 〜 11:30

[14a-1C-9] シリコンフォトニクス光集積回路におけるプロセス課題 (Ⅳ)
Ge受光器に向けた選択Ge/Siエピ成長技術開発

〇木下啓藏¹、奥村滋一¹、藤方潤一¹、堀川剛^1,2、最上徹¹ (1.PETRA、2.産総研)

11:30 〜 11:45

[14a-1C-10] ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討Ⅳ -紫外光照射によるレジオネラの光応答の観測-

〇西村祐典¹、石田誠¹、澤田和明¹、石井仁¹、町田克之^2,3、益一哉²、王常楽⁴、飯田健一郎⁴、齋藤光正⁴、吉田眞一⁴ (1.豊橋技科大、2.東工大、3.NTT-AT、4.九州大学医学研究院)

一般セッション(口頭講演)

[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月14日(月) 13:15 〜 17:30 1C (135)

座長:中村友二(富士通研),筑根敦弘(大陽日酸)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[14p-1C-1] P-SiN薄膜の破壊強度

〇石塚典男¹、佐久間憲之¹、小野瀬保夫² (1.日立研開、2.日立オートモティブシステムズ)

13:30 〜 13:45

[14p-1C-2] ピーリング離型における離型力・内部応力の解析

〇栩野貴充¹、飯田達矢¹、安田雅昭¹、川田博昭¹、平井義彦¹ (1.大府大院工)

13:45 〜 14:00

△ [14p-1C-3] 3D IC用ビアラスト/バックサイドビアプロセスにおける高アスペクト比ビア形成がトランジスタに与える影響評価

〇菅原陽平¹、木野久志²、福島誉史^1,3、李康旭³、小柳光正³、田中徹^1,4 (1.東北大院工、2.東北大学際研、3.東北大未来研、4.東北大院医工)

14:00 〜 14:15

△ [14p-1C-4] DRAMセルアレイの電荷保持特性を用いた3DICにおける局所曲げ応力の影響評価

〇谷川星野¹、木野久志²、福島誉史¹、小柳光正³、田中徹^1,4 (1.東北大院工、2.東北大学際研、3.東北大未来研、4.東北大院医工)

14:15 〜 14:30

△ [14p-1C-5] 表面濡れ性の違いによるＰＶＡロールブラシの摩擦力と水のしみ出し挙動

〇(M1)西尾賢哉¹、真田俊之¹、福永明²、檜山浩國² (1.静大工、2.荏原製作所)

14:30 〜 14:45

[14p-1C-6] Characteristic study of PVD-Co(W) single barrier/liner for highly reliable ULSI Cu interconnects

〇(DC)金泰雄¹、Momose Takeshi¹、Takaaki Tsunoda²、Moriwaki Takayuki²、Nakagawa Takashi²、Shimogaki Yukihiro¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.CANON ANELVA CORPORATION)

14:45 〜 15:00

[14p-1C-7] 弾道電子の近接照射によるCu薄膜のプリンティング堆積

〇須田隆太郎¹、八木麻実子¹、小島明¹、白樫淳一¹、越田信義¹ (1.農工大・院･工)

15:00 〜 15:15

[14p-1C-8] Ar⁺イオン照射によるSi ナノワイヤのNi 合金化プロセスの制御

〇張旭¹、橋本修一郎¹、武井康平¹、ソンセイ¹、徐泰宇¹、麻田修平¹、臼田稔宏¹、富田基裕^1,2,3、今井亮佑³、小椋厚志³、松川貴⁴、昌原明植⁴、渡邉孝信¹ (1.早大理工、2.学振特別研究員PD、3.明大理工、4.産総研)

休憩（15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

[14p-1C-9] p型Si基板を用いた多孔質Si熱酸化による低誘電率材料の作製

〇曽根川富博¹、小山礼朗¹ (1.琉球大工)

15:45 〜 16:00

[14p-1C-10] 熱CVDシリコン成膜におけるギャップフィル技術

〇高橋信広¹、柿本明修¹、岡田充弘¹、小森克彦¹ (1.東京エレクトロン東北)

16:00 〜 16:15

[14p-1C-11] 熱フィラメント法による大気圧下での水素ラジカル発生とその濃度測定

〇岡本裕二^1,2、Dahmani Fatima Zohra³、堤大耀⁴、石垣隆正⁴、角谷正友¹ (1.物材機構、2.筑波大、3.USTO-MB、4.法政大)

16:15 〜 16:30

[14p-1C-12] 水素ラジカルによるクロロシラン系ガス還元プロセスの熱力学的考察

〇伊高健治¹、角谷正友²、橋本拓也³ (1.弘前大学、2.物材機構、3.日大)

16:30 〜 16:45

[14p-1C-13] 450mmφシリコンエピタキシャル成長の移動現象

〇山田彩未¹、松井美沙子¹、羽深等¹ (1.横国大院工)

16:45 〜 17:00

[14p-1C-14] CVD装置内熱挙動のランガサイト結晶振動子によるその場測定

〇宮崎賢都¹、齋藤あゆ美¹、松井美沙子¹、羽深等¹ (1.横国大院工)

17:00 〜 17:15

[14p-1C-15] SiHCl₃によるシリコン成膜時の副生成物形成機構

桜井あゆみ¹、齋藤あゆ美¹、〇羽深等¹ (1.横国大院工)

17:15 〜 17:30

[14p-1C-16] SiHCl₃-SiH_x系におけるシリコン薄膜高速形成プロセス開発

〇齋藤あゆ美¹、桜井あゆみ¹、羽深等¹ (1.横浜国大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[15a-PB4-1~9] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月15日(火) 09:30 〜 11:30 PB4 (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[15a-PB4-1] Sub-1G～20G集積化MEMS加速度センサの基本評価

〇山根大輔^1,4、小西敏文²、年吉洋^3,4、益一哉^1,4、町田克之^1,2,4 (1.東工大、2.NTT-AT、3.東大、4.JST-CREST)

09:30 〜 11:30

[15a-PB4-2] ゲイン制御型CMOS-MEMS加速度センサ回路の検討

〇小西敏文¹、山根大輔^2,4、高安基大^2,4、伊藤浩之^2,4、道正志郎^2,4、石原昇^2,4、益一哉^2,4、年吉洋^3,4、町田克之^1,2,4 (1.NTT-AT、2.東工大、3.東大、4.JST-CREST)

09:30 〜 11:30

[15a-PB4-3] MEMS 加速度センサのための金属構造体の密着力評価

〇佐布晃昭¹、小西敏文¹、松島隆明¹、山根大輔^2,4、年吉洋^3,4、曽根正人^2,4、益一哉^2,4、町田克之^1,2,4 (1.NTTアドバンステクノロジ、2.東京工業大学、3.東京大学、4.JST-CREST)

09:30 〜 11:30

[15a-PB4-4] 2次元プラズモニック吸収体を用いた波長選択型非冷却赤外線センサ：検知波長の半値幅制御

〇小川新平¹、藤澤大介¹、木股雅章² (1.三菱電機株式会社、2.立命館大学)

09:30 〜 11:30

[15a-PB4-5] 高真空スパッタで作製されたPdバリア層への超臨界CO₂法による
Cu薄膜堆積

〇西川慶¹、宇原祥夫¹、伊藤勝利¹、齊藤茂¹ (1.東理大院工)

09:30 〜 11:30

[15a-PB4-6] フラットケーブルを用いたはんだバンプのエレクトロマイグレーション試験

〇我妻直紀¹、大和田岬¹、阿部拓実¹、中田勉²、久保田誠²、上野和良¹ (1.芝浦工大、2.荏原製作所)

09:30 〜 11:30

[15a-PB4-7] 透明酸化物半導体IGZOを用いた自己整合縦形薄膜トランジスタ

〇栗原史昂¹、岡田裕之¹、中茂樹¹ (1.富大)

09:30 〜 11:30

▼ [15a-PB4-8] Electrical Properties of Pulsed-Laser Crystallized Poly-Si Thin Films Grown on YSZ Crystallization-Induction Layers by Two-Step Irradiation Method

〇Lien Mai¹, Susumu Horita¹ (1.JAIST)

09:30 〜 11:30

△ [15a-PB4-9] 高誘電率膜を有するガラス基板上の平面型メタルダブルゲートジャンクションレスp-ch低温poly-Ge TFT

〇西村勇哉¹、仁部翔太¹、原明人¹ (1.東北学院大工)

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[13a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [13a-1C-4] UV励起光源を用いたラマン分光法及びライフタイム測定による多結晶シリコン薄膜の評価

▲ [13a-1C-9] Microwave-Induced Rapid Heating Used to Crystallize Thin Silicon Films

△ [13a-1C-10] 自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTによるE/Dインバータ特性

[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [14a-1C-3] フレキシブルＣＭＯＳ回路、温度センサ三次元積層集積デバイス

[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [14p-1C-3] 3D IC用ビアラスト/バックサイドビアプロセスにおける高アスペクト比ビア形成がトランジスタに与える影響評価

△ [14p-1C-4] DRAMセルアレイの電荷保持特性を用いた3DICにおける局所曲げ応力の影響評価

△ [14p-1C-5] 表面濡れ性の違いによるＰＶＡロールブラシの摩擦力と水のしみ出し挙動

[15a-PB4-1~9] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

▼ [15a-PB4-8] Electrical Properties of Pulsed-Laser Crystallized Poly-Si Thin Films Grown on YSZ Crystallization-Induction Layers by Two-Step Irradiation Method

△ [15a-PB4-9] 高誘電率膜を有するガラス基板上の平面型メタルダブルゲートジャンクションレスp-ch低温poly-Ge TFT

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