一般セッション(ポスター講演)

[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2015年9月14日(月) 16:00 〜 18:00 PB6 (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

[14p-PB6-1] 溶液法による超低転位4H-SiCバルク結晶成長

〇旦野克典¹、山口聡²、木本博行¹、佐藤和明¹、別所毅¹ (1.トヨタ自動車、2.豊田中研)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-2] 溶液法により成長したn型4H-SiC結晶のキャリア濃度分布の評価

〇王振江¹、川口昂彦¹、村山健太¹、青柳健大¹、原田俊太¹、酒井武信¹、宇治原徹¹ (1.名大院工)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-3] るつぼ底からのSiC溶液成長における溶液内対流と成長厚さの関係

〇(M1)沓掛穂高¹、日根賢人¹、太子敏則^1,2 (1.信州大工、2.信大環境・エネ研)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-4] GW 近似法に基づく 4H-SiC のインパクトイオン化率の計算

〇(M1)小長晃輔¹、小谷岳生²、鎌倉良成¹、森伸也¹ (1.阪大工、2.鳥取大工)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-5] 放射光HAXPES・XRDによるNi/SiC界面反応層の化学結合状態及び結晶構造評価

〇安野聡¹、小金澤智之¹ (1.高輝度光科学研究セ)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-6] SiC基板のレーザーアブレーション形状の観察

〇岡本淳祐¹、宮川鈴衣奈¹、岡部悠¹、江龍修¹ (1.名工大院)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-7] 4H-SiC MISFETsのためのAl₂O₃,Al₆Si₂O₁₃ゲート絶縁膜の研究

〇赤瀬光¹、石川誠治²、前田知徳²、瀬崎洋²、Milantha de Silva¹、長妻宏都¹、吉川公麿¹、黒木伸一郎¹ (1.広大ナノデバイス、2.フェニテック)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-8] 4H-SiC(000-1) の界面近傍酸化剤濃度と電気的特性

〇花里耕平¹、蓮沼隆¹、山部紀久夫¹ (1.筑波大学)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-9] Si及びC原子放出モデルに基づくSiC熱酸化メカニズムの統合理論

〇土方泰斗¹、浅藤亮祐¹ (1.埼玉大)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-10] ローム製SiC MOSFETにおけるガンマ線照射試験結果

〇牧野高紘¹、小野田忍¹、三浦峰生²、大島武¹ (1.原子力機構、2.ローム株式会社)

16:00 〜 18:00

[14p-PB6-11] 酸化膜形成プロセスの異なるSiC MOSFETへのゲートバイアス印加を伴うガンマ線照射効果

〇(M1)村田航一^1,2、三友啓^1,2、松田拓磨^1,2、横関貴史^1,2、牧野高紘²、武山昭憲²、小野田忍²、大久保秀一³、田中雄季³、神取幹郎³、吉江徹³、大島武²、土方泰斗¹ (1.埼玉大院理工研、2.日本原子力機構、3.サンケン電気)

一般セッション(口頭講演)

[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2015年9月15日(火) 09:00 〜 12:00 1A (131+132)

座長:原田俊太(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[15a-1A-1] AlN/Si(110)基板上SiC薄膜の高品質化

〇(M1)成田舜基¹、目黒一煕¹、中澤日出樹¹ (1.弘前大)

09:15 〜 09:30

[15a-1A-2] Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構

〇横山大¹、フィリモノフセルゲイ²、長澤弘幸¹、吹留博一¹、末光眞希¹ (1.東北大通研、2.トムスク大)

09:30 〜 09:45

△ [15a-1A-3] SiC溶液成長界面のその場真空レーザー顕微鏡観察によるステップ前進速度解析

〇小沼碧海¹、丸山伸伍¹、三谷武志²、加藤智久²、奥村元²、松本祐司^1,3 (1.東北大院工、2.産総研、3.JST-ALCA)

09:45 〜 10:00

△ [15a-1A-4] マクロステップバンチングが起こる条件でガスエッチングしたSiC表面のマクロテラス上に並んだ1 unit cell高さステップの発生機構

〇平井和斗¹、金子光顕¹、木本恒暢¹、須田淳¹ (1.京大院工)

10:00 〜 10:15

[15a-1A-5] ソフトプラズマを用いた非晶質炭化珪素薄膜室温形成

塩田耕平¹、田中茉莉亜¹、廣岡亜純¹、〇羽深等¹ (1.横国大院工)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[15a-1A-6] 三フッ化塩素ガスによるSiC成膜装置の繰返しクリーニング法

〇塩田耕平¹、水野浩輔¹、松田仁美¹、羽深等¹、石田夕起²、大野俊之³ (1.横国大院工、2.産総研、3.FUPET)

10:45 〜 11:00

[15a-1A-7] ClF₃ガスによるSiCウエハのエッチング速度挙動

〇中込健¹、矢島大里¹、羽深等¹、加藤智久² (1.横国大院工、2.産総研)

11:00 〜 11:15

[15a-1A-8] 三フッ化塩素を利用した4H-SiC(C面)のエピタキシャル膜におけるエッチング挙動

〇廣岡亜純¹、福元裕介¹、羽深等¹、加藤智久² (1.横国大院工、2.産総研)

11:15 〜 11:30

[15a-1A-9] Si蒸気圧エッチング法による4H-SiC表面の加工変質層除去とその効果

〇鳥見聡¹、矢吹紀人¹、篠原正人¹、寺元陽次¹、野上暁¹、金子忠昭² (1.東洋炭素株式会社、2.関学大理工)

11:30 〜 11:45

△ [15a-1A-10] 高温熱処理によるn型SiC厚膜エピタキシャル層のキャリア寿命制御

〇齋藤栄治¹、須田淳¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

11:45 〜 12:00

△ [15a-1A-11] フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察

〇(M1)浅藤亮祐¹、八木修平¹、土方泰斗¹、矢口裕之¹ (1.埼玉大理工研)

一般セッション(口頭講演)

[15p-1A-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2015年9月15日(火) 13:30 〜 17:30 1A (131+132)

座長:黒木伸一郎(広島大),升本恵子(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:30 〜 13:45

[15p-1A-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 超高耐圧SiCパワーデバイスを目指した衝突イオン化係数の決定

〇丹羽弘樹¹、須田淳¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

13:45 〜 14:00

[15p-1A-2] Siペルチェ素子・4H-SiCパワー素子の三次元集積

〇古林寛¹、種平貴文²、米盛敬²、瀬尾宣英²、黒木伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.マツダ(株)技術研)

14:00 〜 14:15

[15p-1A-3] 低インダクタンスSiCパワー半導体モジュール

〇鈴木達広¹、山下真理¹、森哲也¹、藤田高弥¹、谷本智¹ (1.日産アーク)

14:15 〜 14:30

[15p-1A-4] 積層Mo/C電極によるSiCショットキーダイオードの電気特性評価

〇(M1)鈴木智之¹、若林整¹、筒井一生¹、岩井洋¹、角嶋邦之¹ (1.東工大総理工)

14:30 〜 14:45

[15p-1A-5] レーザアニールとカーボン侵入型金属による低抵抗SiCオーミック接触の形成

〇ミランタデシルワ¹、石川誠治²、前田知徳²、瀬崎洋²、吉川公麿¹、黒木伸一郎¹ (1.広大　RNBS、2.フェニテック)

14:45 〜 15:00

△ [15p-1A-6] エキシマレーザードーピングによる4H-SiCコンタクト抵抗の改善

〇小島遼太¹、池上浩¹、池田晃裕¹、中村大輔¹、浅野種正¹、岡田龍雄¹ (1.九州大シス情)

15:00 〜 15:15

[15p-1A-7] 大気圧熱プラズマジェット照射による高温イオン注入した4H-SiC中Pイオンの高効率活性化

〇花房宏明¹、石丸凌輔¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

休憩（15:15 〜 15:30）

15:30 〜 16:00

[15p-1A-8] [優秀論文賞受賞記念講演] Three-dimensional imaging and tilt-angle analysis of dislocations in 4H-SiC by two-photon-excited band-edge photoluminescence

〇田沼良平¹、長野正裕¹、鎌田功穂¹、土田秀一¹ (1.電中研)

16:00 〜 16:15

[15p-1A-9] THzエリプソメトリーによるSiCエピタキシャル膜の非接触・非破壊電気特性測定

〇藤井高志^1,2、岩本敏志¹、佐藤幸徳¹、達紘平²、荒木務²、名西憓之²、杉江隆一³、森田直威³、長島健⁴ (1.日邦プレシジョン、2.立命館大、3.東レリサーチセンター、4.摂南大)

16:15 〜 16:30

[15p-1A-10] ミラー電子顕微鏡，低エネルギーSEMによる4H-SiC基底面転位像観察

〇一色俊之¹、生頼義久²、佐藤高広² (1.京工繊大、2.日立ハイテク)

16:30 〜 16:45

[15p-1A-11] 4H-SiC中積層欠陥の電子線照射による拡大と熱処理による縮小

〇山下善文¹、中田龍¹、下村拓也¹、西川亘¹、林靖彦¹ (1.岡山大院自然)

16:45 〜 17:00

[15p-1A-12] 4H-SiC中Al準位の正孔捕獲断面積

〇(M2)景荻¹、加藤正史¹、市村正也¹、児島一聡² (1.名工大、2.産総研)

17:00 〜 17:15

△ [15p-1A-13] 助触媒担持による3C-SiC光電極の性能向上

〇市川尚澄¹、加藤正史¹、市村正也¹ (1.名工大)

17:15 〜 17:30

[15p-1A-14] 3C-SiC光電極を用いたCO₂還元によるメタン生成

〇赤羽俊之輔¹、佐原豪¹、市川尚澄²、加藤正史²、前田和彦¹、岩崎孝之¹、小寺哲夫¹、波多野睦子¹ (1.東工大、2.名工大)

一般セッション(口頭講演)

[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 1A (131+132)

座長:土方泰斗(埼玉大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[16a-1A-1] ウェット酸化により形成したSiO₂/4H-SiCの電子状態評価

〇渡辺浩成¹、大田晃生¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

09:15 〜 09:30

[16a-1A-2] ドライ酸化プロセスの制御によるC関連欠陥の減少

笹子知弥¹、荒井仁¹、喜多浩之²、室隆桂之³、〇野平博司¹ (1.東京都市大工、2.東京大学工学系研究科、3.(公財)高輝度光科学研究センター)

09:30 〜 09:45

△ [16a-1A-3] AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期酸化過程の解明

〇荒井仁¹、野平博司¹ (1.東京都市大工)

09:45 〜 10:00

△ [16a-1A-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO₂/SiC界面評価技術の検討

〇茅根慎通¹、小杉亮治²、田中保宣³、原田信介²、奥村元²、長康雄¹ (1.東北大、2.産総研、3.内閣府)

10:00 〜 10:15

[16a-1A-5] 大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCの熱酸化

〇石丸凌輔¹、花房宏明¹、東清一郎¹ (1.広大院先端研)

10:15 〜 10:30

[16a-1A-6] 容量の過渡応答(C-t 特性)に基づくSiC MOS 界面近傍の膜中への捕獲電荷に起因した緩和現象の理解

〇藤野雄貴¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [16a-1A-7] SiC-MOSゲート酸化膜形成における超高温酸化の検討

〇永井大介¹、染谷満²、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機)

11:00 〜 11:15

▼ [16a-1A-8] Interface nitridation of thermally-grown SiO₂/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas

〇(P)Atthawut Chanthaphan¹, Yen Hung Cheng¹, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

11:15 〜 11:30

△ [16a-1A-9] SiC MOSデバイスにおける界面窒化処理に起因した正孔トラップ生成

〇勝義仁¹、チャンタパンアタウット¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

11:30 〜 11:45

[16a-1A-10] 構造の異なるSiC-MOSFETへのガンマ線照射効果

〇三友啓^1,2、松田拓磨^1,2、村田航一^1,2、横関貴史^1,2、牧野高紘²、武山昭憲²、小野田忍²、大島武²、大久保秀一³、田中雄季³、神取幹郎³、吉江徹³、土方泰斗¹ (1.埼玉大学理工研、2.日本原子力機構、3.サンケン電気)

11:45 〜 12:00

[16a-1A-11] 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの電気的特性評価

〇松田拓磨^1,2、横関貴史^1,2、三友啓^1,2、村田航一^1,2、牧野高紘²、武山昭憲²、小野田忍²、大久保秀一³、田中雄季³、神取幹郎³、吉江徹³、大島武²、土方泰斗¹ (1.埼玉大学、2.日本原子力機構、3.サンケン電気)

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[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-1A-3] SiC溶液成長界面のその場真空レーザー顕微鏡観察によるステップ前進速度解析

△ [15a-1A-4] マクロステップバンチングが起こる条件でガスエッチングしたSiC表面のマクロテラス上に並んだ1 unit cell高さステップの発生機構

△ [15a-1A-10] 高温熱処理によるn型SiC厚膜エピタキシャル層のキャリア寿命制御

△ [15a-1A-11] フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察

[15p-1A-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-1A-6] エキシマレーザードーピングによる4H-SiCコンタクト抵抗の改善

△ [15p-1A-13] 助触媒担持による3C-SiC光電極の性能向上

[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [16a-1A-3] AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期酸化過程の解明

△ [16a-1A-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO2/SiC界面評価技術の検討

△ [16a-1A-7] SiC-MOSゲート酸化膜形成における超高温酸化の検討

▼ [16a-1A-8] Interface nitridation of thermally-grown SiO2/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas

△ [16a-1A-9] SiC MOSデバイスにおける界面窒化処理に起因した正孔トラップ生成

認証

△ [16a-1A-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO₂/SiC界面評価技術の検討

▼ [16a-1A-8] Interface nitridation of thermally-grown SiO₂/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas