2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[11a-A29-1~13] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年3月11日(水) 09:00 〜 12:30 A29 (6A-204)

09:00 〜 09:15

[11a-A29-1] 高信頼性ULSI-Cu配線用PVD-Co(W)膜の特性

〇百瀬 健1、冨田 皓太1、角田 隆明2、中川 隆史2、霜垣 幸浩1 (1.東大院工, 2.キヤノンアネルバ)

キーワード：Cu配線、Co(W)、物理気相成長