[11a-D7-1~11] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [11a-D7-7] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長 (2)

〇須田 耕平¹、木嶋 隆浩¹、石原 聖也¹、澤本 直美¹、町田 英明²、石川 真人²、須藤 弘²、大下 祥雄³、小椋 厚志¹ (1.明治大, 2.気相成長, 3.豊田工大)

キーワード：GeSn、MOCVD、エピタキシャル成長