300℃以下プロセスで作製した結晶性GeチャネルTFT

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2015年3月11日(水) 13:30 〜 17:15 D7 (16-207)

16:00 〜 16:15

〇笠原健司¹、永冨雄太²、山本圭介²、東英実³、中野茉莉央³、山田晋也³、金島岳³、中島寛²、浜屋宏平³ (1.九大シス情, 2.九大産学連携センター, 3.阪大基礎工)

キーワード：ゲルマニウム、金誘起層交換成長法、薄膜トランジスター