[12p-A2-1~17] 11.1 基礎物性

[12p-A2-7] CaF₂基板を用いたFeSe_1-xTe_xエピタキシャル薄膜の作製と相分離の抑制

〇今井 良宗¹、澤田 雄一¹、鍋島 冬樹¹、前田 京剛¹ (1.東大院総合)

キーワード：鉄系超伝導体、パルスレーザー堆積法