PDF ダウンロード スケジュール 1 いいね! 0 16:00 〜 18:00 [12p-P17-3] イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価 〇中込 諒1、酒井 翔一朗1、藤原 幸亮1、有元 圭介1、山中 淳二1、中川 清和1、宇佐美 徳隆2、星 裕介2、澤野 憲太郎3 (1.山梨大クリスタル研, 2.名古屋大学, 3.東京都市大総研) キーワード:半導体