〇(P)Marek Edward Schmidt¹、 Ahmed Hammam^1,2、 Manoharan Muruganathan¹、 Shinichi Ogawa³、 Hiroshi Mizuta^1,4 (1.JAIST、2.Minia Univ.、3.AIST、4.Southampton Univ.)

11:30 〜 11:45

[13a-A32-9] 新規窒素含有芳香族分子による酸化グラフェンの修飾

〇田原大輔¹、小幡誠司²、時丸祐輝³、伊藤慎庫³、野崎京子³、斉木幸一朗^1,2 (1.東大院理、2.東大新領域、3.東大院工)

一般セッション(口頭講演)

[15a-A33-1~10] 17.2 グラフェン

2016年9月15日(木) 09:00 〜 11:45 A33 (301A)

前橋兼三(農工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

▲ [15a-A33-1] Observing surface plasmons on suspended graphene by Raman Spectroscopy

〇(D)QIAO LI^1,2、 Yoshitaka Shingaya²、 Daiju Tsuya²、 Tomonobu Nakayama^1,2 (1.Univ. of Tsukuba、2.NIMS)

09:15 〜 09:30

[15a-A33-2] 基板表面修飾によるグラフェンにおけるプラズモン特性の変調

〇高村真琴¹、熊田倫雄¹、 Shengnan Wang¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性基礎研)

09:30 〜 09:45

▲ [15a-A33-3] Raman Characteristics of Graphene with Inhomogeneous Isotope Distribution

〇SHENGNAN WANG¹、 Kenichi Sasaki¹、 Satoru Suzuki¹、 Hideki Yamamoto¹、 Kazuhide Kumakura¹ (1.NTT Basic Research Labs.)

09:45 〜 10:00

[15a-A33-4] 窒素ドープグラフェンナノクラスター上の酸素還元反応

〇(M2)松山治薫^1,2、田中崇太郎¹、赤石暁^1,2、中村淳^1,2 (1.電通大院基盤理工、2.JST-CREST)

10:00 〜 10:15

[15a-A33-5] グラフェンナノリボンのキャリア伝導における多層化の効果

〇根岸良太¹、山元克真¹、劉柏麟²、田中啓文²、小林慶裕¹ (1.阪大院工、2.九工大院)

10:30 〜 10:45

[15a-A33-6] グラフェン／層状超伝導体NbSe₂直接接合における超伝導近接効果

〇(M2)鑓水勝秀¹、大塚洋一¹、友利ひかり^1,2、渡邊賢司³、谷口尚³、上野啓司⁴、神田晶申¹ (1.筑波大数理物質、2.PRESTO-JST、3.NIMS、4.埼玉大)

10:45 〜 11:00

[15a-A33-7] グラフェン系触媒の単一フレークによる水中でのGe表面エッチング

〇中出和希¹、森大地¹、佐藤慎祐¹、李韶賢¹、川合健太郎¹、森田瑞穂¹、有馬健太¹ (1.阪大院工)

11:00 〜 11:15

[15a-A33-8] バッファー層急冷グラフェンの電子状態と物性

〇乗松航¹、包建峰²、山本功樹¹、伊藤孝寛³、舟橋良次⁴、楠美智子⁵ (1.名大院工、2.内蒙古大、3.名大SR研、4.産総研、5.名大未来研)

11:15 〜 11:30

[15a-A33-9] SiC上高濃度ホウ素ドープグラフェンの物性

〇乗松航¹、増森淳史¹、舟橋良次²、遠藤彰³、楠美智子⁴ (1.名大院工、2.産総研、3.東大物性研、4.名大未来研)

11:30 〜 11:45

[15a-A33-10] グラフェン本来のイオンセンシング特性

〇大野恭秀¹、光野琢仁¹、谷口嘉昭¹、永瀬雅夫¹ (1.徳島大院)

一般セッション(口頭講演)

[15p-A33-1~19] 17.2 グラフェン

2016年9月15日(木) 13:15 〜 18:15 A33 (301A)

神田晶申(筑波大)、佐藤信太郎(富士通研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[15p-A33-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 糖鎖機能化グラフェンFETを用いた抗ウイルス薬効評価のためのノイラミニダーゼ反応計測

〇鎌田果歩¹、小野尭生¹、金井康¹、大野恭秀^1,2、前橋兼三^1,3、井上恒一¹、渡邊洋平⁴、河原敏男⁵、鈴木康夫⁵、中北愼一⁶、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大、4.京都府立医大、5.中部大、6.香川大)

13:30 〜 13:45

△ [15p-A33-2] SiC上グラフェンの水脱離による導電率変化

〇北岡誠¹、永濱拓也¹、中村晃大¹、有月琢哉¹、高嶋和也¹、大野恭秀¹、永瀬雅夫¹ (1.徳島大院)

13:45 〜 14:00

△ [15p-A33-3] 超ルイス酸によるナノカーボン薄膜への正孔ドーピング

〇(M2)金橋魁利¹、舟橋一真¹、宮内拓也¹、田中直樹²、庄子良晃²、石原正統³、長谷川雅考³、福島孝典²、竹延大志^1,4 (1.早大先進、2.東工大化生研、3.産総研、4.名大工)

14:00 〜 14:15

▲ [15p-A33-4] Signature of individual Gas Molecules Absorbed on Graphene

〇Manoharan Muruganathan¹、 Jian Sun¹、 Hiroshi Mizuta^1,2 (1.JAIST、2.Univ. of Southampton)

14:15 〜 14:30

[15p-A33-5] 三層グラフェン電界効果トランジスタの輸送特性におけるアニール効果

〇岩崎拓哉^1,2、 Muruganathan Manoharan¹、 Schmidt Marek¹、水田博^1,2 (1.北陸先端大、2.サザンプトン大)

14:30 〜 14:45

[15p-A33-6] KMnO₄/H⁺二次酸化による酸化グラフェンの蛍光増強

〇屠宇迪¹、宇都宮徹¹、一井崇¹、杉村博之¹ (1.京大院工)

14:45 〜 15:00

[15p-A33-7] グラフェン電界効果トランジスタ上に捕捉した酵素分子の高感度検出

〇小野尭生¹、金井康¹、大野恭秀^1,2、前橋兼三^1,3、井上恒一¹、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大)

15:00 〜 15:15

△ [15p-A33-8] ポルフィリンリンカーを用いたグラフェンバイオセンサーの高感度化

〇川田拓哉¹、小野尭生¹、金井康¹、大野恭秀^1,2、前橋兼三^1,3、井上恒一¹、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大)

15:15 〜 15:30

△ [15p-A33-9] グラフェン表面弾性波デバイスの溶液中での音響電流制御

〇奥田聡志^1,2、金井康¹、小野尭生¹、生田昂¹、小川新平²、藤澤大介²、嶋谷政彰²、井上恒一¹、前橋兼三^1,3、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.三菱電機、3.東京農工大)

15:30 〜 15:45

△ [15p-A33-10] ドライ転写技術により印加した自立グフェンのひずみ評価

〇石田隼斗¹、澤田和明¹、高橋一浩¹ (1.豊橋技術科学大学)

16:00 〜 16:15

△ [15p-A33-11] 局所１軸ひずみによるグラフェンへのギャップ生成

〇友利ひかり^1,2、林正彦³、吉岡英生⁴、渡邊賢司⁵、谷口尚⁵、大塚洋一¹、神田晶申¹ (1.筑波大数理物質、2.PRESTO-JST、3.秋田大教育文化、4.奈良女子大理、5.物材機構)

16:15 〜 16:30

[15p-A33-12] 高速パルスIV計測による2層グラフェンのギャップ内準位の時定数に関する考察

〇谷口功起¹、長汐晃輔^1,2 (1.東大マテリアル、2.ＪＳＴ-さきがけ)

16:30 〜 16:45

△ [15p-A33-13] グラフェンナノリボンの端欠陥によるGNR-FETの特性ばらつき

〇(D)高島健悟¹、山本貴博¹ (1.東理大工)

16:45 〜 17:00

△ [15p-A33-14] 非平衡グリーン関数法を用いたグラフェンナノリボン配線の電気伝導特性へのエッジ修飾ならびにエッジ揺らぎ効果の第一原理計算

〇籔崎勝也¹、粟野祐二¹ (1.慶大院工)

17:00 〜 17:15

[15p-A33-15] グラフェン分割リング共振器のゲートによる特性制御

〇鈴木哲¹、関根佳明¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性基礎研)

17:15 〜 17:30

[15p-A33-16] グラフェンフォノニックデバイスに向けたシングルナノメータ周期的ナノ孔構造の作製

〇(M2)神崎晃悠¹、シュミットマレク¹、ムルガナタンマノハラン¹、ハマムアーメド¹、水田博^1,2 (1.北陸先端大、2.サザンプトン大)

17:30 〜 17:45

[15p-A33-17] グラフェン上へのPt単原子分散体の作製と評価

〇山崎憲慈¹、前原洋祐¹、北嶋凌¹、郷原一寿¹ (1.北大院工)

17:45 〜 18:00

[15p-A33-18] グラファイト上における金属微粒子の熱的挙動のその場観察

〇星雄大¹、高橋惇郎¹、加藤大樹¹、本間芳和¹ (1.東京理科大学)

18:00 〜 18:15

[15p-A33-19] Ni上グラフェンの二次電子コントラストにおけるエネルギー依存性(2)

〇(M1)四本松康太¹、高橋惇郎¹、加藤大樹¹、本間芳和¹ (1.東理大理)

一般セッション(口頭講演)

[16a-A33-1~9] 17.2 グラフェン

2016年9月16日(金) 09:00 〜 11:15 A33 (301A)

乗松航(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[16a-A33-1] 無触媒2段階CVD成長によるサファイア基板上への高品質グラフェンの直接成長

〇上田悠貴¹、山田純平¹、藤原亨介¹、山本大地¹、丸山隆浩¹、成塚重弥¹ (1.名城大理工)

09:15 〜 09:30

△ [16a-A33-2] Cu箔基板上グラフェンCVD成長における核発生支配要因

〇平良隆信¹、小幡誠司²、斉木幸一朗^1,2 (1.東大院理、2.東大新領域)

09:30 〜 09:45

△ [16a-A33-3] 結晶化Niを用いた析出法における多層グラフェンの低温直接成長

〇山田純平¹、上田悠貴¹、藤原享介¹、山本大地¹、丸山隆浩¹、成塚重弥¹ (1.名城大理工)

09:45 〜 10:00

[16a-A33-4] CH₄プラズマを用いた酸化グラフェンからのグラフェン生成における反応ガス比の影響

〇小幡誠司¹、斉木幸一朗¹ (1.東大新領域)

10:00 〜 10:15

△ [16a-A33-5] 架橋グラフェンナノリボンアレイのウェハースケール高集積化合成

〇鈴木弘朗¹、金子俊郎¹、澁田靖²、大野宗一³、前川侑毅²、加藤俊顕¹ (1.東北大院工、2.東大院工、3.北大院工)

10:15 〜 10:30

[16a-A33-6] ¹³C同位体ラベリングによる酸化グラフェン構造修復過程のラマン分光解析

〇石田俊¹、大畑惇貴¹、中村槙悟¹、小林慶裕¹ (1.阪大院工)

10:30 〜 10:45

[16a-A33-7] グラフェン/3C-SiC(111)/4H-SiC(0001) の昇華法による成長

〇関根佳明¹、熊倉一英¹、日比野浩樹^1,2 (1.NTT物性基礎研、2.関西学院大理工)

10:45 〜 11:00

[16a-A33-8] ハイブリッドSiC基板を用いたSi終端SiC単結晶薄膜上高品質グラフェン成長

〇遠藤則史¹、秋山昌次²、田島圭一郎¹、末光眞希¹、小西繁²、茂木弘²、川合信²、久保田芳宏²、堀場弘司³、組頭広志³、吹留博一¹ (1.東北大通研、2.信越化学工業、3.高エネ研)

11:00 〜 11:15

△ [16a-A33-9] 同位体を用いたヘテロ構造グラフェンの直接合成

〇(M1)奥山公史¹、竹井邦晴¹、秋田成司¹、有江隆之¹ (1.大阪府大)

セッション一覧

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[13a-A32-1~9] 17.2 グラフェン

▲ [13a-A32-8] Helium ion milling of HSQ covered graphene: Control of substrate swelling and imaging disorder

[15a-A33-1~10] 17.2 グラフェン

▲ [15a-A33-1] Observing surface plasmons on suspended graphene by Raman Spectroscopy

▲ [15a-A33-3] Raman Characteristics of Graphene with Inhomogeneous Isotope Distribution

[15p-A33-1~19] 17.2 グラフェン

△ [15p-A33-2] SiC上グラフェンの水脱離による導電率変化

△ [15p-A33-3] 超ルイス酸によるナノカーボン薄膜への正孔ドーピング

▲ [15p-A33-4] Signature of individual Gas Molecules Absorbed on Graphene

△ [15p-A33-8] ポルフィリンリンカーを用いたグラフェンバイオセンサーの高感度化

△ [15p-A33-9] グラフェン表面弾性波デバイスの溶液中での音響電流制御

△ [15p-A33-10] ドライ転写技術により印加した自立グフェンのひずみ評価

△ [15p-A33-11] 局所１軸ひずみによるグラフェンへのギャップ生成

△ [15p-A33-13] グラフェンナノリボンの端欠陥によるGNR-FETの特性ばらつき

△ [15p-A33-14] 非平衡グリーン関数法を用いたグラフェンナノリボン配線の電気伝導特性へのエッジ修飾ならびにエッジ揺らぎ効果の第一原理計算

[16a-A33-1~9] 17.2 グラフェン

△ [16a-A33-2] Cu箔基板上グラフェンCVD成長における核発生支配要因

△ [16a-A33-3] 結晶化Niを用いた析出法における多層グラフェンの低温直接成長

△ [16a-A33-5] 架橋グラフェンナノリボンアレイのウェハースケール高集積化合成

△ [16a-A33-9] 同位体を用いたヘテロ構造グラフェンの直接合成

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