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15 結晶工学 » 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

一般セッション(口頭講演)

[10p-N321-1~3] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

2021年9月10日(金) 13:00 〜 13:45 N321 (口頭)

宇野和行(和歌山大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[10p-N321-1] 原子層堆積法によるAl₂O₃/ZnO/Al₂O₃構造の薄膜成長

〇今井悠真¹、小林舜¹、居波渉¹、中村篤志¹ (1.静大院工)

13:15 〜 13:30

[10p-N321-2] MBE法によるストイキオメトリなSnTe(100)薄膜の作製

〇(B)坪井海人

13:30 〜 13:45

△ [10p-N321-3] サファイアr,S面ナノファセット基板上ZnTe(110)薄膜成長に向けたMEE成長層界面の制御(Ⅱ)

〇(M1)小林昇太郎¹、杉本昂大¹、坪井海人¹、小林正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

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