井上直久

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発表者・著者、共著者

2021年3月19日(金) 09:00 〜 11:30 Z29 (Z29)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-Z29-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

10:45 〜 11:00

[19a-Z29-7] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(5) 正方形複合体NN, CiOi, NO, O2iの赤外吸収

〇井上直久¹、川又修一¹、奥田修一¹ (1.大阪府大研究推進)

11:00 〜 11:15

[19a-Z29-8] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(18)窒素関連吸収の複ピーク

〇井上直久¹、川又修一¹、奥田修一¹ (1.大阪府大研究推進)

11:15 〜 11:30

[19a-Z29-9] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(ⅩⅩII) 赤外吸収測定法規格の改訂再開

〇井上直久¹、奥田修一¹、川又修一¹ (1.大阪府大研究推進)