一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性
13:30 〜 13:45
〇野崎 孝武1、近藤 智裕1、太田 裕己2、米澤 健2、寺井 慶和1 (1.九工大情報工、2.ケニックス(株))
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13:45 〜 14:00
〇(D)Rahul Kumar1、Yuta Hazama1、Fumitaka Ohashi1、Himanshu Shekhar Jha1、Tetsuji Kume1 (1.Gifu University)
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14:00 〜 14:15
〇Tun Naing Aye1、Rahul Kumar1、Himanshu shekhar Jha1、Fumitaka Ohashi1、Tetsuji Kume1 (1.Faculty of Engineering, Gifu University)
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14:15 〜 14:30
〇原 康祐1、國枝 慎1、山中 淳二2、有元 圭介1、伊藤 麻維3、黒澤 昌志3,4 (1.山梨大クリスタル研、2.山梨大機器分析、3.名大院工、4.名大高等研究院)
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14:30 〜 14:45
〇岡部 博孝1、平石 雅俊1、竹下 聡史1,2、幸田 章宏1,2、小嶋 健児3、大澤 健男4、大橋 直樹4、門野 良典1,2 (1.KEK物構研、2.総研大、3.TRIUMF、4.物材機構)
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14:45 〜 15:00
〇(B)吉田 響1、坂本 克好1、山口 浩一1、沈 青1、岡田 至崇3、曽我部 東馬1,2,3 (1.電通大i-PERC&基盤理工、2.(株)グリッド、3.東大先端研)
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15:15 〜 15:30
〇水沼 直樹1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大院)
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15:30 〜 15:45
〇市川 雄大1、宮内 壮流1、吉田 美沙2、津谷 大樹2、鵜殿 治彦1 (1.茨城大、2.NIMS)
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15:45 〜 16:00
〇山下 雄大1、北村 未歩2、堀場 弘司2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大、2.高エネ研)
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16:00 〜 16:15
〇木下 涼太1、山戸 一輝1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)
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