一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
13:00 〜 13:15
〇星 拓也1、吉屋 佑樹1、杉山 弘樹1、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研)
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13:15 〜 13:30
〇安藤 裕二1、高橋 英匡1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
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13:30 〜 13:45
〇(DC)渡久地 政周1、三輪 和希1、堀切 文正2、福原 昇2、成田 好伸2、市川 磨2、磯野 僚多2、田中 丈士2、佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.サイオクス)
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13:45 〜 14:00
〇伊藤 滉朔1、小松 裕斗1、渡久地 政周1、井上 暁喜2、三好 実人2、佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.名工大)
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14:00 〜 14:15
〇井上 暁喜1、原田 紘希1、山中 瑞樹1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
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14:15 〜 14:30
〇田中 さくら1、井上 暁喜1、山本 皓介1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
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14:30 〜 14:45
〇(M2)隈部 岳瑠1、安藤 悠人1、渡邉 浩崇2、出来 真斗1,3、田中 敦之4、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.物材機構、5.名大ARC)
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15:00 〜 15:15
〇(M2)尾川 弘明1、豊原 真由1、浅賀 圭太1、岩田 直高1 (1.豊田工大)
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15:15 〜 15:30
〇岸本 尚之1、礒前 雄人1、林 拓也1、國澤 宗真1、渡邊 一世2,1、山下 良美2、町田 龍人2、原 紳介2、笠松 章史2、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)
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15:30 〜 15:45
〇(M1)澤田 尭廣1、大堀 大介1、菅原 健太3、岡田 政也3、中田 健3、井上 和孝3、佐藤 大輔4、寒川 誠二1,2 (1.東北大学流体研、2.東北大学 AIMR、3.住友電工、4.昭和電工)
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15:45 〜 16:00
〇吉屋 佑樹1、星 拓也1、杉山 弘樹1、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研)
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16:00 〜 16:15
〇小林 礼佳1、清水 康雄2、大野 裕2、金 聖祐3、小山 浩司3、嘉数 誠4、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪市大院工、2.東北大金研、3.アダマンド並木精密宝石(株)、4.佐賀大院工)
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16:15 〜 16:30
〇(DC)上東 洋太1、大曲 新矢2、梅沢 仁2、山田 英明2、梁 剣波1、重川 直輝1 (1.大阪市大院工、2.産総研)
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16:30 〜 16:45
〇Niloy Chandra Saha1、SeongWoo Kim2、Toshiyuki Oishi1、Yuki Kawamata2、Koji Koyama2、Makoto Kasu1 (1.Saga Univ.、2.Adamant Namiki Precision Jewel Co., Ltd.)
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