[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-Z16-1] (Al₂O₃)_1-x(SiO₂)_x/GaN界面の原子構造と電子構造の第一原理計算による考察

〇長川 健太¹、白石 賢二^2,1、押山 淳¹ (1.名大未来研、2.名大院工)

キーワード：GaN、第一原理計算、界面

(Al₂O₃)_1-x(SiO₂)_x:AlSiOはGaN MOSデバイスの有力な絶縁膜材料候補である。本研究では第一原理計算を用いて初めてAlSiO/GaN界面構造とその電子状態を明らかにした。また、GaN上に厚みのあるアモルファス絶縁膜層を形成した計算もこれまで報告はなく新しい知見となる。界面には未結合手などの欠陥は存在せず、エネルギー的に安定な結合が形成された。これらの構造はGaNのバンドギャップ内に準位を形成せず、MOSデバイスにおいて低い界面準位密度が期待できる。