[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-Z16-5] GaN(0001)面上に形成したSiO₂/GaN MOSキャパシタの電気特性評価

冨ケ原 一樹¹、和田 悠平¹、〇溝端 秀聡¹、野崎 幹人¹、吉越 章隆²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.原子力機構)

キーワード：N極性GaN、GaN(0001)、SiO2/GaN

GaN(0001)面はGaN(0001)面よりも熱的安定性が高いことが知られており，より高温の活性化アニールへの適用が期待される。一方，GaN(0001)基板を用いたGaN MOSデバイスの電気特性に関する報告は少なく，絶縁膜や堆積後熱処理の条件等について十分に検討されているとは言えない。そこで本研究では，GaN(0001)面上に形成したSiO₂/GaN MOSキャパシタの電気特性について評価した。