[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-Z16-6] SiO₂/GaN MOSデバイスの性能向上に向けた堆積後熱処理条件の検討

〇溝端 秀聡¹、和田 悠平¹、野崎 幹人¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：FGA、GaN MOS、酸化ガリウム

我々は，極薄のGaO_x界面層を有するSiO₂/GaO_x/GaN構造を後酸化することで良好な界面電気特性が得られることを報告してきた。一方，水素ガスアニールをSiO₂/GaO_x/GaN構造に施すと，GaO_x界面層での固定電荷生成と，それによるV_FBの負方向シフトが生じることも報告した。そこで本研究では，SiO₂/GaN MOSデバイスの性能向上に向けた堆積後熱処理条件について検討したので報告する。