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[16a-Z16-9] AlSiO/p型GaN MOSFETにおける移動度制限因子の解析
キーワード:パワー半導体素子、金属-酸化物-半導体 電界効果トランジスタ、チャネル移動度
AlSiO/p型GaN-FETのMOS界面に3 nmのSiO2、AlNまたはAl2O3界面層を設け、gmから求めた実効移動度と、伝達特性のヒステリシス及びしきい電圧(Vt)との相関を調べた。その結果、SiO2界面層付きMOSFETの移動度が最も高く(~60 cm2/Vs)、ヒステリシスが最小であった。また、移動度が高いほどVtが低い傾向がみられた。実効移動度と、ヒステリシス及びVtとの相関は、界面トラップへの電子捕獲で説明できる。この仮説は、ゲート電圧印加のホール効果測定で裏付けられた。