[16a-Z26-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[16a-Z26-3] A Study on improvement of output characteristics of tunnel FET

〇(B)Riku Fujii¹, Shiro Mita¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:TFET

近年普及が進んでいるIoTデバイスでは，設置性を高める等の理由等から，環境発電による微弱電力での動作が求められている．低消費電力化のために，急峻なサブスレッショルド特性を有するSteep-slope transistorが求められている．中でも我々は，作製工程がMOSFETと類似したトンネルFET (TFET)について注目し，駆動電流向上について研究を行ってきた．しかし，TFETにおけるID-VD特性の立ち上がりは，従来のMOSFETに比べ緩やかであり，CMOS回路に適用した際のスイッチング時間が長くなる．そこで今回，Id-Vd特性の立ち上がり特性改善を目的に，TFETへのDouble gate構造の適用に関してデバイスシミュレーションを用いて検討を行った．