[16a-Z29-1~3] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[16a-Z29-1] Modeling of low-temperature atomic layer deposition of aluminum nitride

〇(D)Kentaro Saito^1,2, Kazuki Yoshida^1,2, Masanori Miura³, Kensaku Kanomata³, Bashir Ahmmad¹, Shigeru Kubota¹, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.ROEL Yamagata Univ.)

Keywords:atomic layer deposition, aluminum nitride

窒化アルミニウムは、有機発光ダイオードのガスバリアへの応用が期待される。従来のAlN薄膜の製膜法は化学気相堆積法、原子層堆積法(Atomic Layer Deposition)等であり、これらは300 ℃以上の高温で行われる。AlN薄膜を有機エレクトロニクスデバイスに応用するために、プロセスの低温化が必要である。
本研究ではtrimethylalminiumを原料ガスに、プラズマ励起NH₃を窒化ガスに用いた160 ℃でのAlN-ALDを実現するために、多重内部反射赤外吸収法での表面反応のその場観察を行った。さらに、低温AlN-ALD反応機構についても報告する。