[16a-Z32-1~10] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[16a-Z32-4] Heat conduction mechanism in thin films including ultra-small epitaxial Ge nanodots

〇(D)Tsukasa Terada¹, Tatsuhiko Taniguchi¹, Takafumi Ishibe¹, Kento Konoike¹, Atsushi Sanada¹, Nobuyasu Naruse², Yutaka Mera², Yoshiaki Nakamura¹ (1.Osaka Univ., 2.Shiga University of Medical Science)

Keywords:Nanostructure, Phonon, Heat conduction

近年、安価・無毒なユビキタス元素を用いたSi系材料の室温近傍での熱電応用が期待されている。しかしながら、その高い熱伝導率のため変換効率が低いという問題がある。本公演では、独自の極薄Si酸化膜技術を用いたGeナノドットをSi、SiGe薄膜中に導入することにより、大幅な熱伝導率低減を実証し、その熱伝導率低減機構を解明することを目的とする。