[16p-P10-1~2] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-P10-2] 半導体界面における真性フェルミレベルの結晶歪依存性

〇松田 和典¹、中山 憲一¹、谷川 浩司¹、高倉 健一郎² (1.徳島文理大学理工学部、2.熊本高等専門学校情報通信エレクトロニクス科)

キーワード：真性フェルミレベル、結晶歪

半導体pn接合の内蔵電位VbiやMOSFET のしきい電圧Vtは真性フェルミレベルとフェルミレベルの差ΨB=EiーEFを用いて議論されている。接合した2つの物質ではバンドがシフトし、フェルミレベルが揃う。このシフトにともないpn接合界面では、バンドが曲がり真性フェルミレベルに差が生じる。またMOSFETでは、2qΨB以上のバイアス以上の逆バイアスで最大の反転層が形成される．本研究では，MOSキャパシタの反転領域における空乏層キャパシタンスの歪依存性について実験した結果にもとづいて真性フェルミレベルの歪依存性について述べる。