2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[16p-P12-1~4] 13.3 絶縁膜技術

2021年3月16日(火) 17:00 〜 17:50 P12 (ポスター)

17:00 〜 17:50

[16p-P12-1] SiNx,SiOx膜へのアルカリ金属イオンの透過障壁のイオン半径依存性

奥 友希1、戸塚 正裕1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)

キーワード:絶縁膜、アルカリ金属イオン、透過障壁

前報ではイオンの半径の小さいイオンほどSiO2,Si3N4膜への透過障壁が小さい傾向が見られた. しかしながら、陽イオンではその傾向が無かった。この原因を明らかにするため欠陥を有するSiNx,SiOx膜へのアルカリ金属イオンの透過障壁を計算した。その結果、アルカリ金属イオンでは、イオン半径が小さいほど透過し易いとは限らず、膜種や空孔により透過し易いイオンが異なることが分かった。