[16p-Z07-1~11] パワーデバイスの最新動向と今後の展望

[16p-Z07-2] 低オン抵抗・高電流増幅率シリコンスーパージャンクションBJTの動作実証

〇橋本 誠¹、矢野 浩司²、松川 直樹¹、松尾 秋子¹、茂浦口 明雄¹、新井 学³、清水 尚博⁴ (1.新日本無線、2.山梨大工、3.名古屋大未来材料・システム研、4.名古屋大低温プラズマ科学研)

キーワード：スーパージャンクション、バイポーラトランジスタ、パワーデバイス

SJドリフト領域を有するバイポーラトランジスタ(SJ-BJT)を初めて作成し、従来のバイポーラトランジスタ(BJT)と比較して、低オン抵抗・高電流増幅率であること実証した。これは、SJドリフト領域の高濃度にドーピングされたn型ピラーによる、ベース拡がり効果の抑制の結果であることを明らかにした。