[16p-Z07-1~11] パワーデバイスの最新動向と今後の展望

[16p-Z07-5] ダイヤモンドパワー半導体 ～ウェハ・プロセス・デバイス～

〇徳田 規夫¹、張 旭芳¹、松本 翼¹、猪熊 孝夫¹、Christoph E. Nebel^1,2、山崎 聡¹ (1.金沢大、2.Diamond and Carbon Applications)

キーワード：半導体、ダイヤモンド、MOSFET

ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、次々世代パワーデバイス材料として期待されている。本講演では、現状の半導体ダイヤモンドに関する研究開発状況について概説し、我々の研究成果である高速成長を用いた半導体ダイヤモンドウェハと炭素固溶を用いたダイヤモンドならではのエッチングプロセス、そして原子レベルの表面・界面構造制御を基軸とした反転層チャネルダイヤモンドMOSFETについて紹介する。