[16p-Z07-1~11] パワーデバイスの最新動向と今後の展望

[16p-Z07-7] 界面制御による縦型パワーデバイス適用を目指したGaN MOSFET特性

〇富田 英幹¹、原田 彩花¹、大川 峰司¹、長里 喜隆¹、劉 麗²、川原村 敏幸² (1.(株)ミライズテクノロジーズ、2.高知工科大学)

キーワード：移動度、MOS界面、ミストCVD

高移動度化の阻害要因であるGa酸化層を抑制する為、O₂プラズマ酸化より酸化能力の低いO₃酸化を使ったミストCVD法を活用し、横型MOSFETを作成した。その結果、XPS分析より、MOS界面にはGa酸化層が検知されない事を確認し、更に、移動度(265.7 cm²/Vs)としきい値(4.8V)の高いレベルでの両立を実現した。この様に、ミストCVD法によって成膜したSiO₂は、車載向けGaNパワーデバイスのゲート絶縁膜としてポテンシャルがあり、有力候補の一つである事を確認した。