[16p-Z26-1~15] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[16p-Z26-9] 放射光X線による低温形成したHf_xZr_1−xO₂薄膜の直方晶相同定の検討

〇女屋 崇^1,2,3,4、生田目 俊秀²、Jung Yong Chan³、Hernandez-Arriaga Heber³、Mohan Jaidah³、Kim Harrison S.³、澤本 直美⁵、Nam Chang-Yong⁶、Tsai Esther H. R.⁶、長田 貴弘²、Kim Jiyoung³、小椋 厚志^1,5 (1.明大理工、2.物材機構、3.UT Dallas、4.学振DC、5.明大 MREL、6.Brookhaven National Lab.)

キーワード：強誘電体HfxZr1−xO2薄膜、放射光X線、プラズマ原子層堆積

Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)膜の強誘電性と結晶構造の関係を理解するために、格子定数が非常に近いために分離解析が難しい通常のX線回折法に代わって、強誘電相である直方晶(O)、正方晶(T)及び立方晶(C)相からO相を同定する解析が望まれている。本研究では、放射光X線を用いた微小角入射広角X線散乱法により、プラズマ原子層堆積法と熱処理で低温形成したHZO膜のO/T/C相の格子面間隔を解析すると共に強誘電性との関係について議論した。