[17a-Z26-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[17a-Z26-8] Influence of the material selection for an electrode on forming voltage of the HfO_x-based ReRAM

〇(M1C)Masahiro Suzuki¹, Soshun Doko¹, Yoshiaki Ishii¹, Masahiro Moniwa¹ (1.Tokyo Univ. of Technology)

Keywords:ReRAM, Non-volatile memory, semiconductor

透明ReRAMにおける電極材料選択の指針を求めて、電極材料の酸化エネルギーの違いの影響を、フォーミング電圧に着目して比較検討した。上部電極に、Hf, Al, Ni （酸化エネルギー： Hf < Al < Ni）を選び、下部電極はHfとした。上部電極の酸化エネルギーが小さい場合は正電圧印加時に、大きい場合は負電圧印加時にフォーミングした。電極からの酸素空孔の放出量の相違に基づくことが考えられる。