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[17a-Z27-7] Flux-Film-Coated Naフラックス法による低転位GaN結晶育成
キーワード：Naフラックス、窒化ガリウム、転位
Naフラックス法で育成されたGaN単結晶は転位密度が低くGaN系パワーデバイス用基板としての応用が期待されている。一方、Naフラックス法の特徴であるIsland成長によってGa-Na溶液が結晶中にインクルージョンとして取り込まれた場合、デバイス作製時に基板内部で損傷が発生する可能性がある。今回、結晶表面を常に約0.1mmのGa-Naフラックス膜で覆いながら結晶成長させる“Flux-Film-Coated LPE (FFC-LPE)法”によってインクルージョンフリーの低転位GaN結晶成長が可能となった