2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[17a-Z28-1~10] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2021年3月17日(水) 09:00 〜 11:45 Z28 (Z28)

原田 俊太(名大)

09:00 〜 09:15

[17a-Z28-1] 4H-SiC溶液成長における溶媒添加剤によるマクロステップ挙動の変化

三谷 武志1、江藤 数馬1、加藤 智久1 (1.産総研)

キーワード:溶液成長、マクロステップ、溶媒

我々は4ºオフC面で80%を上回るTSD変換を実証し、昇華法を組み合わせて高品質バルク結晶を得るハイブリッド成長について報告してきた。このTSD変換を活用した結晶技術を確立するためには、マクロステップ形成過程を理解し学理・技術の両面からプロセス最適化を進めることが不可欠である。本研究ではバンチングの度合いを変化させ得るTiとAlを用いたSi系溶媒を用い、TSD変換層形成時のマクロステップ挙動を詳細に調べたので報告する。