[17a-Z28-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[17a-Z28-3] Interactions between Threading Edge Dislocations in 4H-SiC Crystal

〇Kiyoshi Betsuyaku¹, Norihiro Hoshino¹, Kamata Isaho¹, Kanda Takahiro², Tsuchida Hidekazu¹ (1.CRIEPI, 2.MIRISE)

Keywords:dislocation, SiC, Crystal Growth

4H-SiC結晶における貫通刃状転位間(TED)の相互作用について転位論に基づき検討した。二つTED間に作用する相互作用力および対消滅・合体といった結合則は、バーガース・ベクトルのなす角で整理できる。これらを考慮し、仮想的な質量および摩擦力を仮定した転位動力学法により、二つのTEDの動きのシミュレーションを行った。講演においては、熱応力が重畳した場合についても議論する。