[17a-Z28-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[17a-Z28-4] Observation of behavior of threading dislocations by synchrotron section topography

〇Isaho Kamata¹, Norihiro Hoshino¹, Kiyoshi Betsuyaku¹, Takahiro Kanda², Hidekazu Tsuchida¹ (1.CRIEPI, 2.MIRISE Tech.)

Keywords:4H-SiC, dislocation, toporaphy

ガス法により得た4H-SiC 成長結晶に対し、放射光Ｘ線セクショントポグラフィ測定によって、貫通転位の結晶成長方向の挙動を調査した。