[17a-Z28-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[17a-Z28-7] Behavior of carrot defects on SiC (000-1) face homoepitaxial layer

〇Taro Enokizono¹, Takaya Miyase¹, Hiroki Nishihara¹, Tetsuro Kondo¹, Hironori Itoh¹, Tsutomu Hori¹, Masaki Furumai¹ (1.Sumitomo Electric Industries, Ltd)

Keywords:SiC, epitaxial, carrot defect

(000-1)面にエピ成長を行い、同一基板にそのまま2回目のエピ成長を行った。その後研磨によりエピ層を除去し、再度同じ条件でエピ成長 (再エピ) した。それぞれのエピ成長後のタイミングで欠陥の調査を行い、キャロット欠陥の挙動を確認したところ、2回目のエピで新規に発生するキャロット欠陥はない、研磨を行うとキャロット欠陥が発生する場所が変わることが判明した。