[17p-P02-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[17p-P02-2] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP MQW レーザの歪量依存性の検討

〇(B)阿形 幸二¹、石崎 隆浩¹、韓 旭¹、対馬 幸樹¹、白井 琢人¹、佐藤 元就¹、渋川 航大¹、伊藤 慎吾¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：光エレクトロニクス、シリコンフォトニクス、光通信

IoTやクラウドコンピューティングの発展によって情報通信量が著しく増加し続けている。今後、大容量・低消費電力システムを実現するためにシリコンフォトニクスへの期待が高まっている。われわれはシリコンフォトニクスにおけるレーザ光源を開発するために、Si基板上にInP薄膜とSi基板を直接貼り付けした基板を作製し、この基板上にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案した[1,2]。今回、InP/Si基板上に成長するMQW構造に圧縮歪を導入したレーザの発振特性について報告する。