[17p-P06-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17p-P06-3] Allooy composition control of α-(AlGa)₂O₃ thin films and Al desorption phenomena in mist CVD

〇Marika Ohta¹, ichiro tanaka¹, kazuyuki uno¹ (1.Wakayama Univ.)

Keywords:alpha-Gallium oxide, alpha-Aluminium gallium oxide, mist CVD

α型酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)は酸化ガリウムの準安定相であり、c面サファイア(α-Al₂O₃)基板上でミストCVD法を用いて薄膜成長が可能な半導体材料である。α-(AlGa)₂O₃混晶を用いてヘテロ接合を作製することで深紫外領域での光デバイス応用が期待される。今回は、ミストCVD成長におけるAlGaO混晶の組成制御とAlの再脱離および原料水溶液中のAlイオンの錯化状態との関係について報告する。