[17p-P06-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[17p-P06-4] Solid-phase crystallization of β-Ga₂O₃ thin films with various dopants
by Excimer Laser Annealing

〇(M1)Kazuki Watanabe¹, Takumi Matsushima¹, Tomoaki Oga¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:Ga2O3, impurity doping, solid-phase crystallization

β型酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)は約4.9eVのバンドギャップを持つ半導体である。室温ELAプロセスはパルスレーザー照射による極短時間での固相結晶化を誘起し、ドーパントの蒸発や分相析出を抑制することから、浅いアクセプター準位を形成し導電性に寄与するドーパントの探索が期待できる。本研究では、β-Ga₂O₃ 薄膜へのドーピングによる特性制御を目的とし、ELA固相エピタキシャル結晶成長を用いた種々の不純物ドーピングとその構造・特性評価を実施した。