[17p-Z19-8~24] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

▲ [17p-Z19-18] Tunnel magnetoresistance in ultrathin MnGa-based perpendicular magnetic tunnel junctions utilizing bcc-Co based interlayers

〇Kazuya Suzuki^1,2、Tomohiro Ichinose¹、Ren Mmonma^1,3、Shigemi Mizukami^1,2,4 (1.Tohoku Univ. AIMR、2.Tohoku Univ. CSRN、3.Tohoku Univ. Eng.、4.Tohoku Univ. CSIS)

キーワード：Mn based alloy, TMR, CoMn