[17p-Z26-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[17p-Z26-14] Possibility of Various Cobalt Alloys as Single-Layer Barrier Materials for LSI Interconnection Using Thermodynamic Calculation

〇Yuki Yamada^1,2, Masataka Yahagi^1,2, Junichi Koike¹ (1.Tohoku Univ., 2.JX Nippon Mining & Metals Corp.)

Keywords:interconnect material, diffusion barrier, CALPHAD method

現行のLSIデバイスには配線材料としてCuが広く用いられている．また，バリア層のTaN並びにライナー層のTaが併せて用いられる．しかし，デバイスの微細化に伴ってこのTa/TaNの二重構造が配線の体積を圧迫するために，配線抵抗が急激に上昇することが懸念されている．そこで，我々はバリアとライナーの機能を併せ持つ単層バリア材料を着想した．本発表では，熱力学計算を用いたその探索方法の試みについて紹介する．