2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年3月17日(水) 13:00 〜 17:00 Z27 (Z27)

ホームズ マーク(東大)、市川 修平(阪大)、大音 隆男(山形大)

13:45 〜 14:00

[17p-Z27-4] InGaN/GaN多重量子殻の時間空間分解カソードルミネッセンス評価

嶋 紘平1、Weifang Lu2、小島 一信1、上山 智2、竹内 哲也2、秩父 重英1,3 (1.東北大多元研、2.名城大、3.名大IMaSS)

キーワード:窒化インジウムガリウム、多重量子殻、時間空間分解カソードルミネッセンス

Sub-μmスケールかつ3次元構造のInGaN/GaN多重量子殻(MQS)では構成元素や不純物、空孔型欠陥等の不均一取り込みに起因する混晶組成やキャリア濃度、内部量子効率の不均一性が想定されるため、それらを正しく評価することが必要である。我々は、フェムト秒レーザ励起光電子銃を走査型電子顕微鏡に搭載する時間空間分解カソードルミネッセンス(STRCL)装置を開発してきた。本報告では、InGaN/GaN MQSの局所的な発光寿命をSTRCL法により計測した結果を元に不純物や空孔型欠陥の分布について考察する。