[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-Z28-6] GaAs基板上InAs成長層の表面ラフネスへのZnドープの影響調査

〇中川 翔太¹、今村 優希¹、大濱 寛士¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：MOVPE、中赤外

MOVPE法でGaAs基板上にInAs層を成長する際にDEZnを流すことによる平坦性向上効果を調べた。500℃成長において，Zn流量の増加とともに平坦性が向上した。また膜厚が厚いほどその効果は顕著に現れた。