[17p-Z29-1~10] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[17p-Z29-4] Development of Si solar cells featuring TiO_x hole-selective passivating contacts

〇Takuya Matsui¹, Martin Bivour², Martin Hermle², Hitoshi Sai¹ (1.AIST, 2.Fraunhofer-ISE)

Keywords:Solar cell, Silicon, Titanium oxide

高効率な結晶Si太陽電池を製造する技術として、Si表面のパッシベーション機能と、電子または正孔の一方を選択的に取り出す機能を併せ持つ「キャリア選択性パッシベーティングコンタクト」が注目されている。特に、これをa-Si:HなどのSi系材料を置換しうる低コストで光学的に透明な材料で実現することを目指した研究が行われている。本研究では、ALD法で製膜した酸化チタン（TiO_x）において、Siに対するキャリア選択性を制御できることを見出し、デバイス実証を目指した研究を行ってきた。従来、TiO_xはSiや様々な半導体に対して電子コンタクトとして働くことで知られてきた材料であるが、今回、TiO_xを用いてSiから正孔を選択的に取出すことに成功し、20%を超える変換効率を得た。