[17p-Z35-1~12] 13.9 化合物太陽電池

[17p-Z35-8] CdS/Cu₂SnS₃界面の電子構造

〇寺田 教男¹、平山 拓也¹、Chen Guanzhong¹、井出 優弥¹、宮之原 勇¹、大橋 亮太²、荒木 秀明² (1.鹿児島大、2.長岡高専)

キーワード：カルコゲナイド系太陽電池、Cu2SnS3、表面•界面

硫化法によるCu₂SnS₃ [CTS]光吸収層、CdS/CTS界面の組成•電子構造の正•逆光電子分光法 [PES/IPES]による評価結果を報告する。CTS表面がバンドギャップエネルギー0.9–1.0 eVを持つ主成分と伝導帯下端の低い成分からなること、CdSとこの主成分との界面の伝導帯接続が界面再結合抑制に有利なsmall spike型となることなどを紹介する。