[18a-Z05-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [18a-Z05-10] Analysis of Switching Characteristics of 4H-SiC Schottky PN Diodes

〇Ryo Kamewada¹, Kazutoshi Kojima², Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.University of Tsukuba, 2.AIST)

Keywords:Schottky PN Diode(SPND), SiC Diode, Power Semiconductor

ショットキーPNダイオード(SPND)はドリフト層が熱平衡時に完全空乏化しているため、導通に寄与するキャリアは電子または正孔の一方のみとなり、高速なスイッチング特性を有していることがダイヤモンドで実証されている。今回は4H-SiCを用いたSPNDを試作し、スイッチング特性を解析した。その結果、SiC SPNDはユニポーラ動作に基づいた、測定温度に依存しない高速なスイッチング特性を示した。