[18a-Z05-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [18a-Z05-11] Fabrication and evaluation of 4H-SiC Schottky-pn-diode with high blocking voltage

〇(B)Yudai Kitamura¹, Ryo Kamewada¹, Kazutoshi Kojima², Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST)

Keywords:semiconductor, Schottky-pn-Diode

ショットキー接合と片側pn接合に挟まれた低濃度p層が双方の空乏層により完全空乏化する構造を有するSiCショットキーpnダイオード：SPNDは、パワーデバイスの導通損失ースイッチング損失間トレードオフ特性の向上ができると期待されている。しかしながら現状のSPNDは耐圧が300Vと低い。よって、本研究ではSPNDの高耐圧化を目的として耐圧600Vの素子を設計・作製を行い、SPNDの高耐圧化を達成した。