[18a-Z10-1~10] CS.4 3.11 フォトニック構造・現象、3.13 半導体光デバイスのコードシェアセッション

△ [18a-Z10-8] 高アスペクト比の埋込み空孔を有するInP系二重格子フォトニック結晶面発光レーザー

〇伊藤 友樹^1,2、河野 直哉^1,2、藤原 直樹^1,2、八木 英樹¹、勝山 智和¹、井上 大輔¹、藤井 康祐¹、江川 満¹、小路 元¹、井上 卓也²、メーナカ デゾイサ²、石崎 賢司²、野田 進² (1.住友電工、2.京大院工)

キーワード：フォトニック結晶、半導体レーザ、フォトニック結晶レーザ

我々は、これまでに再成長を用いてInP系のフォトニック結晶面発光レーザー(PCSEL)を作製し、光通信波長帯(1.3 mm帯)にて、室温CW発振を実現した。今回、PCSELのしきい値電流の低減と出射ビームの単峰化を目的に、高アスペクト比の深い埋め込み空孔を有する二重格子PCSELを作製した。その結果、しきい値電流 = 21 mAで室温CW動作し、副モード抑圧比 = 52.5 dBの単一モード発振に成功した。さらに、二重格子構造の導入による出射ビームの単峰化を達成したので、その結果について報告する。