2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[18a-Z13-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

2021年3月18日(木) 09:30 〜 12:30 Z13 (Z13)

岩崎 孝之(東工大)、徳田 規夫(金沢大)

10:30 〜 10:45

[18a-Z13-5] サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド

〇(M1)高谷 亮太1、金 聖祐2、川又 友喜2、小山 浩司2、ニロイ サハ チャンドラ1、嘉数 誠1 (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石)

キーワード:ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、サファイア、最高品質

ダイヤモンドはGaNやSiCと比べ、優れた電力性能指数をもち、低消費電力で高効率な次世代パワーデバイスとして期待されている。前回我々はサファイア基板上のヘテロエピタキシャルダイヤモンドの初期成長機構を報告した 。今回我々は、大口径化が可能なサファイア基板を用いて最高品質のヘテロエピタキシャルダイヤモンドが得られたので報告する。