The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-Z15-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Mar 18, 2021 9:15 AM - 12:00 PM Z15 (Z15)

Masamichi Akazawa(Hokkaido Univ.)

10:15 AM - 10:30 AM

[18a-Z15-5] Photoluminescence study on Mg-ion-implanted GaN with ultra-high-pressure annealing

Maito Shiraishi1, Taisei Miyazaki1, Ryusui Wada1, Kenta Watanabe2, Takashi Okawa2, Masato Omori1 (1.Oita Univ., 2.MIRISE Technologies)

Keywords:GaN, ion implantation, PL

次世代パワー半導体として注目されている窒化ガリウム(GaN)を用いたパワーデバイスの実現には,イオン注入法を用いてp型層を選択的に形成する技術が必要となる。本研究では,イオン注入とアニール処理によって生じる欠陥をフォトルミネッセンス(PL)法を用いて評価することを目的としている。本発表ではMgをイオン注入し超高圧アニール処理を施したGaN試料に対して,PLの試料温度依存性を測定したので報告する。