[18a-Z16-1~8] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[18a-Z16-2] 厚膜レジストにおける150 kV電子ビームリソグラフィーの優位性

〇杉原 達記^1,2、金子 新¹ (1.都立大シスデザ、2.エリオニクス)

キーワード：電子ビームリソグラフィー、加速電圧、断面形状

本講演では電子ビームリソグラフィーにおける加速電圧に着目し，これがレジスト断面形状に与える影響について述べる．1600nm厚のPMMAレジストを用いた時，50kVと比較して100, 150kVでは垂直性が高いことがわかった．また，γ値が高いレジストを用いた時，同様の結果が得られることがわかった．さらに，これらの結果を電子散乱の軌跡と比較して考察を述べる．