[18a-Z33-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18a-Z33-4] The sputter deposition of broadband transparent conductive In₂O₃:Ce,H and its transfer to silicon heterojunction solar cells

〇Takashi Koida¹, Leonard Tutsch^1,2, Hitoshi Sai¹, Takuya Matsui¹, Martin Bivour², Martin Hermle² (1.AIST, 2.Fraunhofer ISE)

Keywords:transparent conductive oxide, mobility, solar cell

Siヘテロ接合(SHJ)太陽電池開発において、窓電極のITO(In₂O₃:Sn)をより高移動度な透明導電膜に置換え、光学（反射・吸収）損失を抑制することで、高効率化が図られている。窓電極形成には、反応性プラズマ堆積(RPD)あるいはマグネトロンスパッタ(MS)法が用いられ、高移動度透明導電膜としてHあるいはHと金属(Me)不純物を同時添加したIn₂O₃:Me,H薄膜が用いられている。本研究では、MS-In₂O₃:Ce,H薄膜の性能を調べ、SHJ太陽電池の窓電極に適用し、ITOを用いた参照試料との性能比較を行った。